[发明专利]有机半导体材料无效

专利信息
申请号: 201280036486.3 申请日: 2012-07-25
公开(公告)号: CN103703583A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 尾坂格;泷宫和男 申请(专利权)人: 国立大学法人广岛大学
主分类号: H01L51/30 分类号: H01L51/30;C08G61/12;H01L51/05;H01L51/42
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 李志东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机 半导体材料
【权利要求书】:

1.一种有机半导体材料,其特征在于:包含下式1所示的骨架:

式1中,R1为氢、烷基、烷基羰基、烷氧基和烷氧基羰基,m为1以上的整数,Ar为可具有取代基的单环或缩合多环的杂芳环,多个杂芳环相连时,可以是相同的杂芳环相连,也可以是不同的杂芳环相连。

2.根据权利要求1所述的有机半导体材料,其特征在于:该有机半导体材料是以所述骨架作为重复单元的高分子化合物。

3.根据权利要求1或2所述的有机半导体材料,其特征在于:所述单环的杂芳环为噻吩环或硒吩环。

4.根据权利要求1或2所述的有机半导体材料,其特征在于:所述缩合多环的杂芳环通过下式11~式16中的任一个来表示,

式11~式16中,X表示氧、硫或硒原子;式11和式12中,R2表示氢、烷基、烷基羰基、烷氧基、烷氧基羰基或可具有取代基的芳环;式16中,R3表示烷基、烷基羰基、烷氧基或烷氧基羰基。

5.一种有机半导体材料,其特征在于:通过下式21~式24中的任一个来表示,

式21~式24中,R1表示氢、烷基、烷基羰基、烷氧基或烷氧基羰基,n表示正的实数;式21中,R4和R5表示氢、烷基、烷基羰基、烷氧基或烷氧基羰基,m表示1以上的整数;式23中,R3表示烷基、烷基羰基、烷氧基或烷氧基羰基;式24中,R2表示氢、烷基、烷基羰基、烷氧基、烷氧基羰基或可具有取代基的芳环。

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