[发明专利]有机半导体材料无效

专利信息
申请号: 201280036486.3 申请日: 2012-07-25
公开(公告)号: CN103703583A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 尾坂格;泷宫和男 申请(专利权)人: 国立大学法人广岛大学
主分类号: H01L51/30 分类号: H01L51/30;C08G61/12;H01L51/05;H01L51/42
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 李志东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机 半导体材料
【说明书】:

技术领域

本发明涉及有机半导体材料。

背景技术

近年来,利用了有机半导体材料的有机薄膜晶体管或有机薄膜太阳能电池等的研究开发很盛行。使用有机半导体材料时,通过印刷法、旋涂法等采用湿法的简便方法,可以制作薄膜状的有机半导体层。因此,与无机半导体材料相比,具有制造成本便宜、同时得到薄且柔软性优异的半导体元件的优点。因此,人们正在积极地研究开发各种有机半导体材料。

例如,非专利文献1~4中公开了具有苯并噻二唑的有机半导体材料。另外,非专利文献5中公开了具有苯并噻二唑或萘并双噻二唑的有机半导体材料。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1:Ming Zhang,Hoi Nok Tsao,Wojciech Pisula,Changduk Yang,Ashok K.Mishra和Klaus Mullen;Field-Effect Transistors Based on a Benzothiadiazole-Cyclopentadithiophene Copolymer;Journal of The American Chemical Society2007,129,3472-3473.

非专利文献2:Kok-Haw Ong,Siew-Lay Lim,Huei-Shuan Tan,Hoi-Ka Wong,JunLi,Zhun Ma,Lionel C.H.Moh,Suo-Hon Lim,John C.de Mello和Zhi-Kuan Chen;A Versatile Low Bandgap Polymer for Air-Stable,High-Mobility Field-Effect Transistors and Efficient Polymer Dolar Cells;ADVANCED MATERIALS,2011,23,1409-1413.

非专利文献3:David Muhlbacher,Markus Scharber,Mauro Morana,Zhengguo Zhu,David Waller,Russel Gaudiana和Christoph Brabec;High Photovoltaic Performance of a Low-Bandgap Polymer;Advanced Materials,2006,18,2884-2889.

非专利文献4:Jianhui Hou,Hsiang-Yu Chen,Shaoqing Zhang,Gang Li和Yang Yang;Synthesis,Characterization,and Photovoltaic Properties of a Low Band Gap Polymer Based on Silole-Containing Polythiophenes and2,1,3-Benzothiadiazole;Journal of the American Chemical Society,2008,130,16144-16145.

非专利文献5:Ming Wang,Xiaowen Hu,Peng Liu,Wei Li,Xiong Gong,Fei Huang和Yong Cao;A Donor-Acceptor Conjugated Polymer Based on Naphtho[1,2-c:5,6-c]thiadiazole for High Performance Polymer Solar Cells;Joumal of The American Chemical Society,01June2011,133,9638-9641

发明内容

发明所要解决的课题

非专利文献1和2的有机半导体材料存在着下述问题:有机薄膜晶体管中的载流子迁移率不怎么高,达不到实用的水准。

非专利文献2~4的有机半导体材料存在着下述问题:光电转换效率不怎么高,难以在有机薄膜太阳能电池中应用。

另外,非专利文献5的有机半导体材料,在高分子主链上沿垂直方向结合噻吩环,经由该噻吩环,作为可溶性基团的烷基被取代,因此这些侧链的结构自由度高。因此,将该有机半导体材料制膜以形成有机半导体层时,材料薄膜的结晶性不会变高。薄膜的结晶性低时,载流子迁移率不会变高,因此难以用作薄膜晶体管用的材料。

本发明鉴于上述情况而提出,其目的在于:提供一种结晶性良好、且具有优异的载流子迁移率的有机半导体材料。

解决课题的方法

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