[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

形成有SiC-IGBT（Insulated Gate Bipolar Semiconductor）的半导体芯片，该SiC-IGBT包括：SiC半导体层，具有表面和背面；第一导电型的集电极区域，以在所述SiC半导体层的所述背面侧露出的方式形成；第二导电型的基底区域，以相对于所述集电极区域在所述SiC半导体层的所述表面侧与所述集电极区域相接的方式形成；第一导电型的沟道区域，以相对于所述基底区域在所述SiC半导体层的所述表面侧与所述基底区域相接的方式形成；第二导电型的发射极区域，以相对于所述沟道区域在所述SiC半导体层的所述表面侧与所述沟道区域相接的方式形成，形成所述SiC半导体层的所述表面的一部分；集电极电极，以与所述SiC半导体层的所述背面相接的方式形成，与所述集电极区域连接；发射极电极，以与所述SiC半导体层的所述表面相接的方式形成，与所述发射极区域连接；

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），包括与所述发射极电极电连接的第二导电型的源极区域和与所述集电极电极电连接的第二导电型的漏极区域，并且与所述SiC-IGBT并联连接；以及

与所述SiC-IGBT并联连接的肖特基势垒二极管，该肖特基势垒二极管包括：第二导电型的漂移区域；阳极电极，与所述漂移区域进行肖特基接合，与所述发射极电极电连接；阴极电极，与所述漂移区域进行欧姆接触，与所述集电极电极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述MOSFET包括设置于所述半导体芯片的SiC-MOSFET，

所述源极区域利用所述SiC-IGBT的所述发射极区域形成，

所述漏极区域以与所述SiC-IGBT的所述集电极区域相邻且选择性地在所述SiC半导体层的所述背面侧露出的方式形成，

所述集电极电极统一地与所述漏极区域和所述集电极区域连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述SiC半导体层包括：

第二导电型的SiC基板，形成所述SiC半导体层的所述背面，从该背面朝向所述表面选择性地形成有沟槽；以及

作为所述基底区域的第二导电型的SiC基底层，形成在所述SiC基板上，形成所述SiC半导体层的所述表面，

所述漏极区域利用所述SiC基板形成，

所述集电极区域形成在所述沟槽的底面。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

在所述SiC基板形成有多个所述沟槽，

在各所述沟槽的底面形成的所述集电极区域相互独立。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

在所述SiC基板形成有多个所述沟槽，

所述漏极区域被所述多个沟槽分割为多个漏极区域。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述SiC半导体层包括：

第一导电型的SiC基板，形成所述SiC半导体层的所述背面，从该背面朝向所述表面选择性地形成有沟槽；以及

作为所述基底区域的第二导电型的SiC基底层，形成在所述SiC基板上，形成所述SiC半导体层的所述表面，

所述集电极区域利用所述SiC基板形成，

所述漏极区域形成在所述沟槽的底面。

7.根据权利要求3或6所述的半导体装置，其中，

所述沟槽呈条纹状形成有多条。

8.根据权利要求3或6所述的半导体装置，其中，

所述沟槽的最深部到达所述SiC基板与所述SiC基底层的界面。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述SiC半导体层包括：

SiC基板，形成所述SiC半导体层的所述背面，具有分别以在该背面露出的方式被划分的第一导电型部分和第二导电型部分；以及

作为所述基底区域的第二导电型的SiC基底层，形成在所述SiC基板上，形成所述SiC半导体层的所述表面，

所述集电极区域利用所述SiC基板的所述第一导电型部分形成，

所述漏极区域利用所述SiC基板的所述第二导电型部分形成。