[发明专利]微电子器件

权利要求书

1.一种微电子器件，包括：

位线；

M_aX_bY₂层，其中

a=0.4-1.2，b=0.8-1.2，

M选自Cu、Ag、Li和Zn，

X选自Cr、Mo和W，并且

Y选自Se、S、O和Te；

存储器元件；

字线，并且

其中，所述M_aX_bY₂层和所述存储器元件：（i）被夹置在所述位线和所述字线之间，并且（ii）与所述字线和所述位线电串联。

2.权利要求1所述的器件，其中，所述M_aX_bY₂层是Cu_aCr_bS₂，其中a=0.4-1.2并且b=0.8-1.2。

3.权利要求2所述的器件，其中，所述M_aX_bY₂层是Cu_0.24±0.005Cr_0.26±0.005S_0.5±0.01。

4.权利要求1所述的器件，其中，所述M_aX_bY₂层是Cu_aCr_bSe₂，其中a=0.4-1.2并且b=0.8-1.2。

5.权利要求4所述的器件，其中，所述M_aX_bY₂层是Cu_0.24±0.005Cr_0.26±0.005Se_0.5±0.01。

6.任何前述权利要求所述的器件，还包括：与所述M_aX_bY₂材料的相反侧接触的导电层。

7.权利要求6所述的器件，其中，所述导电层中的至少一个是惰性的。

8.权利要求6所述的器件，其中，所述导电层中的至少一个包括Cu₃Ge。

9.任何前述权利要求所述的器件，其中，所述器件在大于5x10⁶A/cm²的电流密度下可靠地操作。

10.任何前述权利要求所述的器件，其中，所述器件具有大于1V的电压容限。

11.任何前述权利要求所述的器件，其中，所述器件还在其侧面被夹置在电介质之间。

12.任何前述权利要求所述的器件，其中，所述器件是如下结构的组合或如下结构中任何结构的一部分：蘑菇结构、凹陷蘑菇结构、柱基元、光刻孔结构、亚光刻孔结构、以及环形基元结构。

13.任何前述权利要求所述的器件，其中，所述存储器元件是下述存储器中的任何存储器：相变存储器（PCM）、电阻式RAM（RRAM）或磁阻式RAM（MRAM）。

14.一种微电子器件，包括：

位线；

被顶部导电层和底部导电层夹置的Cu_aCr_bS_c层，其中a=0.24±0.005，b=0.26±0.005，并且c=0.50±0.01；

存储器元件；

字线，并且

其中，所述Cu_aCr_bS_c层和所述存储器元件：（i）被夹置在所述位线和所述字线之间，并且（ii）与所述字线和所述位线电串联。