[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：

活性区域；以及

包围所述活性区域的边缘终端结构区域，

其中，所述活性区域包括：

第1导电型漂移层，其由第1导电型半导体基板构成；

第2导电型基极层，其设置在所述第1导电型半导体基板的一个主表面上；

第1导电型半导体区域，其选择性地设置在所述第2导电型基极层的内部；

多个沟槽，其从所述第1导电型半导体基板的一个主表面贯穿所述第1导电型半导体区域和所述第2导电型基极层后到达所述第1导电型漂移层，同时以预定的第1间隔排列；

沟槽栅结构，其由在所述沟槽的内部沿着所述沟槽的内壁设置的栅绝缘膜和在所述沟槽的内部隔着所述栅绝缘膜设置的栅电极构成；

金属电极，其与所述第2导电型基极层以及所述第1导电型半导体区域接触；

第2导电型延伸区域，其由所述第2导电型基极层从多个所述沟槽中的最外侧的所述沟槽向外侧延伸而构成；

1个以上的外周环状沟槽，其从所述第1导电型半导体基板的一个主表面贯穿所述第2导电型延伸区域而到达所述第1导电型漂移层，同时将全部所述沟槽包围，其中，所述外周环状沟槽和最外侧的所述沟槽之间的第2间隔，或者在具有多个所述外周环状沟槽的情况下在相邻的所述外周环状沟槽之间的第2间隔比所述第1间隔小，且在将所述第2间隔设为b，将所述第1间隔设为a的情况下，满足b/a﹤0.8，

在所述第2导电型延伸区域中，被夹在所述外周环状沟槽和最外侧的所述沟槽之间的部分的表面，或者在具有多个所述外周环状沟槽的情况下被夹在相邻的所述外周环状沟槽之间的部分的表面与所述金属电极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，多个所述沟槽在所述第1导电型半导体基板的一个主表面上以沿着与所述沟槽的并列方向垂直的方向延伸的长条状排列。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在将所述第2间隔设为b，将所述第1间隔设为a的情况下，满足b/a﹤0.6。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具有2个以上的所述外周环状沟槽。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括覆盖所述第2导电型延伸区域的绝缘膜，

其中，所述绝缘膜具有使最外周的所述外周环状沟槽的外侧的位于所述第2导电型延伸区域的内侧附近的部位露出的开口部，

所述第2导电型延伸区域通过所述开口部与所述金属电极导电接触。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括设置在所述第1导电型半导体基板的一个主表面上的将所述金属电极和所述栅电极绝缘的绝缘膜，

在所述活性区域中的所述第1导电型半导体基板的一个主表面上交替地布置有与所述金属电极直接接触的部分和隔着所述绝缘膜与所述金属电极接触的部分。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，相邻的2个所述沟槽的端部彼此相互连接。