[发明专利]能够进行热处理的低辐射玻璃及其制造方法有效
申请号: | 201280040298.8 | 申请日: | 2012-08-06 |
公开(公告)号: | CN103748052A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 金雄吉;权大勋;田允淇 | 申请(专利权)人: | 乐金华奥斯有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;B32B15/04 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋;杨生平 |
地址: | 韩国首*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 能够 进行 热处理 辐射 玻璃 及其 制造 方法 | ||
1.一种低辐射玻璃,其特征在于,
包括:
太阳光调节金属层,形成于玻璃基材的上部,
第一电介质层,形成于上述太阳光调节金属层的下部,
第二电介质层,形成于上述太阳光调节金属层的上部,以及
最上部保护层,形成于上述第二电介质层的上部;
上述第一电介质层具有由最下部电介质层与下部金属保护电介质层层叠的结构,上述最下部电介质层包含金属氧化物,上述下部金属保护电介质层包含金属(氧)氮化物。
2.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,上述最下部电介质层及下部金属保护电介质层分别包含相同的金属。
3.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,上述最下部电介质层包含SnZnOx。
4.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,上述下部金属保护电介质层包含SnZnOxNy或SnZnNx。
5.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,上述最下部电介质层的厚度为10~50nm。
6.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,上述下部金属保护电介质层的厚度为1~10nm。
7.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,上述太阳光调节金属层包括低辐射层以及金属保护层,上述金属保护层形成于上述低辐射层的上下部。
8.根据权利要求7所述的低辐射玻璃,其特征在于,上述低辐射层包含选自由银、金、铜、铝以及铂构成的组中的一种以上的物质。
9.根据权利要求7所述的低辐射玻璃,其特征在于,上述金属保护层包含选自由镍、铬以及镍铬构成的组中的一种以上的物质。
10.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,上述第二电介质层包含SnZnOxNy或SnZnNx。
11.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,上述最上部保护层包含SnZnOx。
12.一种低辐射玻璃的制造方法,其特征在于,包括:
步骤(a),在玻璃基材的上部蒸镀金属氧化物,并在被蒸镀的上述金属氧化物的上部蒸镀金属(氧)氮化物,来形成第一电介质层;
步骤(b),在上述第一电介质层的上部形成太阳光调节金属层;
步骤(c),在上述太阳光调节金属层的上部蒸镀金属(氧)氮化物,来形成第二电介质层;以及
步骤(d),在上述第二电介质层的上部蒸镀金属氧化物,来形成最上部保护层。
13.根据权利要求12所述的低辐射玻璃的制造方法,其特征在于,上述金属氧化物包含SnZnOx。
14.根据权利要求12所述的低辐射玻璃的制造方法,其特征在于,上述金属(氧)氮化物包含SnZnOxNy或SnZnNx。
15.根据权利要求12所述的低辐射玻璃的制造方法,其特征在于,上述太阳光调节金属层包括低辐射层以及金属保护层,上述金属保护层形成于上述低辐射层的上下部。
16.根据权利要求15所述的低辐射玻璃的制造方法,其特征在于,上述低辐射层包含选自由银、金、铜、铝以及铂构成的组中的一种以上物质。
17.根据权利要求15所述的低辐射玻璃的制造方法,其特征在于,上述金属保护层包含选自由镍、铬及镍铬构成的组中的一种以上的物质。
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