[发明专利]垂直存储器单元

权利要求书

1.一种形成垂直存储器单元的方法，其包括：

在导体线上方形成半导体结构，所述半导体结构具有第一区域，所述第一区域包含第一掺杂材料与第二掺杂材料之间的第一结；

在所述半导体结构的第一对侧壁上于所述第一区域上面形成蚀刻保护材料；及

在第一尺寸上相对于所述半导体结构的主体区域减小所述第一区域的体积。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在第二尺寸上相对于所述主体区域减小所述第一区域的体积，其中所述第二尺寸正交于所述第一尺寸。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述第一尺寸及所述第二尺寸中的至少一者上相对于所述主体区域减小所述第一区域的所述体积包含通过反应性离子蚀刻来进行蚀刻。

4.根据权利要求2所述的方法，其中在所述第一尺寸及所述第二尺寸中的至少一者上相对于所述主体区域减小所述第一区域的所述体积包含通过氧化来消耗所述第一区域的所述体积。

5.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：

在所述半导体结构的第二对侧壁上于所述第一区域上面形成蚀刻保护导电材料；及

在第二尺寸上相对于所述半导体结构的所述主体区域减小所述第一区域的体积。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述第一尺寸及所述第二尺寸中的至少一者上相对于所述主体区域减小所述第一区域的所述体积包含通过反应性离子蚀刻来进行蚀刻。

7.根据权利要求5所述的方法，其中在所述第一尺寸及所述第二尺寸中的至少一者上相对于所述主体区域减小所述第一区域的所述体积包含通过氧化来消耗所述第一区域的所述体积。

8.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括：

对所述半导体结构进行植入以在第二区域中形成第二掺杂材料与第三掺杂材料之间的第二结；及

在所述第一尺寸上相对于所述半导体结构的主体区域减小所述第二区域的体积。

9.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括在所述第一尺寸上相对于所述半导体结构的主体区域减小所述第二区域的体积。

10.根据权利要求9所述的方法，其中在所述第一尺寸及／或所述第二尺寸上相对于所述主体区域减小所述第二区域的所述体积包含通过反应性离子蚀刻来进行蚀刻及通过氧化来消耗所述第二区域的所述体积中的一者。

11.一种通过根据权利要求1到10中任一权利要求所述的方法形成的垂直存储器单元。

12.一种形成垂直存储器单元的方法，其包括：

在导体线上方形成半导体结构，所述半导体结构具有第一区域，所述第一区域包含第一掺杂材料与第二掺杂材料之间的第一结；

在所述半导体结构的第一对侧壁上于所述第一区域上面形成蚀刻保护材料；

在第一尺寸上相对于所述半导体结构的主体区域减小所述第一区域的体积；

从所述半导体结构形成多个半导体柱；及

在第二尺寸上相对于所述主体区域减小所述第一区域的体积，其中所述第二尺寸正交于所述第一尺寸。

13.根据权利要求12所述的方法，其中从所述半导体结构形成多个半导体柱包含：

用绝缘体材料填充所述半导体结构周围的空间；

蚀刻所述半导体结构及绝缘体材料以形成实质上垂直于所述半导体结构定向的第一沟槽，所述第一沟槽在第二区域中延伸到对应于第一栅极边缘的深度；

在所述第一沟槽的侧壁上沉积绝缘体材料间隔件；

蚀刻所述半导体结构以在所述第一沟槽的底部处形成第二沟槽，所述第二沟槽在所述主体区域中且延伸到第二栅极边缘的深度；

在所述第二沟槽的侧壁上形成栅极电介质；

在所述第二沟槽的侧壁上的所述栅极电介质上方沉积导电材料；及

蚀刻所述半导体结构以在所述第二沟槽的底部处形成第三沟槽，所述第三沟槽在所述第一区域中且延伸到所述导体线。

14.根据权利要求13所述的方法，其中蚀刻所述半导体结构及绝缘体材料以形成第一沟槽包含在第二尺寸上相对于所述主体区域减小所述第二区域的体积。