[发明专利]辐射源和光刻设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2011年9月2日递交的美国临时申请61/530,766的优先权，其在此通过引用全文并入。

技术领域

本发明涉及辐射源和光刻设备。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路（ICs）的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成将要在所述IC的单层上形成的电路图案。这种图案可以被转移到衬底（例如硅晶片）上的目标部分（例如包括部分管芯、一个或多个管芯）上。通常，图案转移是通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料（抗蚀剂）的层上来实现。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻的目标部分的网络。

光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。

图案印刷极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式（1）所示：

CD=k1*λNA---(1)]]>

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸（或临界尺寸）。由等式（1）知道，特征的最小可印刷尺寸减小可以由三种途径获得：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外（EUV）辐射源。EUV辐射是具有在5-20nm范围内波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内，例如在5-10nm范围内，例如6.7nm或6.8nm。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于通过电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

可以通过使用等离子体来产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子的源收集器模块。例如可以通过引导激光束至诸如合适材料（例如锡）的颗粒或液滴或者合适气体或蒸汽（例如氙气或锂蒸汽）的束流等燃料来产生等离子体。所形成的等离子体发出输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括包围结构或腔室，所述包围结构或腔室布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常被称为激光产生的等离子体（LPP）源。

将具有期望的尺寸和期望的间隔的燃料材料的液滴传递至等离子体形成位置可能是困难的。

发明内容

期望提供一种相对于已知的辐射源是新颖的且具有创造性的辐射源和光刻设备。

根据本发明的第一方面，提供一种辐射源的燃料液滴束流生成装置，包括：燃料液滴发射器，连接至调制电压源，调制电压源配置成施加第一电压至燃料液滴束流的第一部分并施加第二电压至燃料液滴束流的第二部分；第一电极，位置靠近燃料液滴发射器；第二电极，位置远离燃料液滴发射器；和电压源，配置成在第一和第二电极之间施加电势差并由此在第一和第二电极之间生成电场，该电场施加减速作用力至燃料液滴束流的第一和第二部分中的一个部分并施加加速作用力至燃料液滴束流的第一和第二部分中的另一个部分。

在一个示例中，第一和第二电压相对于第一电极被保持的电压分别是正的和负的，其中第一电极可以被保持在零电势。在一个示例中，第一和第二电极之间的电势差是基本恒定的。

在本发明的一些实施例中，在施加第一电压和第二电压之间的时间段不对液滴束流施加电压。

第一电压相对于被施加至第一电极的电压的幅值与第二电压相对于被施加至第一电极的电压的幅值可以相等或不同。

第一电压和第二电压可以被施加相同的时间段或不同的时间段。