[发明专利]光电子器件封装、阵列和制造方法有效
申请号: | 201280042554.7 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN103959499B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | D.S.法夸尔 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/52;H01L33/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 肖日松;严志军 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电子 器件 封装 阵列 制造 方法 | ||
1.一种光电子器件封装,其包括:
沿着第一边缘部分和第二边缘部分限定透明区域的边缘密封区域,其中所述第一边缘部分和所述第二边缘部分是所述光电子器件封装的几何平行部分;以及
沿着第三边缘部分和第四边缘部分限定非透明区域的边缘密封区域,其中所述第三边缘部分和所述第四边缘部分是几何平行边缘部分,并且大致正交于所述光电子器件封装的所述第一边缘部分和所述第二边缘部分取向,
其中所述边缘密封区域的透明的第一边缘部分和第二边缘部分中的至少一个配置成与至少一个相邻的光电子器件封装重叠;并且
所述边缘密封区域的非透明的第三边缘部分和第四边缘部分包括导电层,所述导电层配置成经由多个触头将光电子器件的阳极和阴极连接到外部电源。
2.根据权利要求1所述的光电子器件封装,其特征在于,所述阴极、所述阳极和阳极总线延伸通过所述边缘密封区域的非透明部分。
3.根据权利要求1所述的光电子器件封装,其特征在于,所述阳极配置为纵向取向的阳极总线。
4.根据权利要求1所述的光电子器件封装,其特征在于,所述阳极和所述边缘密封区域的非透明部分中的所述导电层配置成使所述阳极与所述阴极电绝缘。
5.根据权利要求4所述的光电子器件封装,其特征在于,
所述阴极和所述阳极延伸通过所述边缘密封区域的非透明部分;
所述导电层直接布置在电活性层上;并且
电绝缘层布置在所述阳极和所述边缘密封区域的非透明部分中的所述导电层之间,配置成使所述阳极与所述阴极电绝缘。
6.根据权利要求4所述的光电子器件封装,其特征在于,
所述阴极延伸通过所述边缘密封区域的非透明部分;
所述导电层直接布置在电活性层上;并且
所述阳极配置为与所述边缘密封区域的透明部分中的电活性区域间隔一定距离的阳极总线,由此配置成使所述阳极与所述阴极电绝缘。
7.一种阵列,其包括:
定位成至少一排的多个光电子器件封装,每个光电子器件封装封闭光电子器件,所述光电子器件封装包括:
沿着第一边缘部分和第二边缘部分限定透明区域的边缘密封区域,其中所述第一边缘部分和所述第二边缘部分是所述光电子器件封装的几何平行部分;以及
沿着第三边缘部分和第四边缘部分限定非透明区域的边缘密封区域,其中所述第三边缘部分和所述第四边缘部分是几何平行边缘部分,并且大致正交于所述光电子器件封装的所述第一边缘部分和所述第二边缘部分取向,
其中所述边缘密封区域的透明的第一边缘部分和第二边缘部分中的至少一个配置成与至少一个相邻的光电子器件封装重叠;并且
其中所述边缘密封区域的非透明的第三边缘部分和第四边缘部分包括导电层,所述导电层配置成经由多个触头将光电子器件的阳极和阴极连接到外部电源,
其中每个光电子器件封装与至少一个相邻的光电子器件封装重叠。
8.根据权利要求7所述的阵列,其特征在于,所述多个光电子器件封装的每一个包括单个像素。
9.根据权利要求7所述的阵列,其特征在于,所述多个光电子器件封装配置成形成连续或非连续发光区域中的一个。
10.根据权利要求7所述的阵列,其特征在于,所述阵列中的每个光电子器件封装的所述边缘密封区域的透明部分的至少一部分与相邻封装的电活性区域重叠。
11.根据权利要求7所述的阵列,其特征在于,每个封装的所述边缘密封区域的透明部分的边缘平行地对准。
12.根据权利要求7所述的阵列,其特征在于,所述边缘密封区域的非透明部分包括导电层,所述导电层配置成经由多个触头将光电子器件的阳极和阴极连接到外部电源。
13.根据权利要求7所述的阵列,其特征在于,所述阴极和所述阳极延伸通过所述边缘密封区域的非透明部分。
14.根据权利要求7所述的阵列,其特征在于,所述阳极配置为大致平行于所述边缘密封区域的透明部分取向的阳极总线。
15.根据权利要求7所述的阵列,其特征在于,所述阳极和所述边缘密封区域的非透明部分中的所述导电层配置成使所述阳极与所述阴极电绝缘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择