[发明专利]光电子器件封装、阵列和制造方法有效
申请号: | 201280042554.7 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN103959499B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | D.S.法夸尔 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/52;H01L33/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 肖日松;严志军 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电子 器件 封装 阵列 制造 方法 | ||
背景技术
光电子器件大体上包括发光器件和光伏器件。这些器件大体上包括夹在两个电极(有时被称为前和后电极)之间的活性层,所述电极中的至少一个典型地是透明的。活性层典型地包括一种或多种半导体材料。在发光器件、例如有机发光二极管(OLED)器件中,施加在两个电极之间的电压导致电流流动通过活性层。电流导致活性层发光。在光伏器件、例如太阳能电池中,活性层吸收来自光的能量并且将它转换成电能,所述电能在两个电极之间的某个特性电压下生成电流流动。
光透射通过OLED器件的电极中的至少一个。合适的透明电极的设计需要它提供平面内导电性(有利于较厚材料层)并且它提供通过它的厚度的透光性(有利于较薄材料层)。为了设法解决电极设计的这些对立限制,单独的发光区域(像素)的尺寸可以被限制,并且因此在电极的平面中横向地流动的电流量可以被限制。如果电流低,则电极中的电阻损失低并且由此产生的器件是高效的。在一种情况下,像素由限定它的周边的不发光线限定,并且电流汇流到这些区域。不发光区域中断OLED的否则均匀的外观。在过度损失和非均匀外观产生之前在电流流动方向上的像素的典型最大尺寸为1cm量级。解决该问题的方法包括使不发光区域很小(增加制造工艺的复杂性)或用漫射膜使它们模糊(减小效率并且增加成本)。因此,期望减小不发光区域的外观使得可以产生大的不间断区域光,同时简化制造工艺以最小化成本。更一般地,期望从单独的像素或器件封装配置发光区域的大阵列,同时提供设计灵活性和制造的容易性。为了设法减小制造成本,期望使用这样的制造工艺,其允许以连续卷对卷(R2R)方式将发光器件印刷到挠性衬底上,类似于将报纸印刷到大纸卷上。通过使用R2R制造,单独的像素或器件可以被制造和配置成发光区域的大阵列,其中像素或器件串联、并联电连接或交替地单独可寻址,同时保持制造工艺的容易性。
发明内容
简单地说,在一方面,本发明涉及一种光电子器件封装,所述光电子器件封装包括沿着第一边缘部分和第二边缘部分限定透明区域的边缘密封区域和沿着第三边缘部分和第四边缘部分限定非透明区域的边缘密封区域。所述第一边缘部分和所述第二边缘部分是所述光电子器件封装的几何平行部分。所述第三边缘部分和所述第四边缘部分是几何平行边缘部分,并且大致正交于所述光电子器件封装的所述第一边缘部分和所述第二边缘部分取向。所述边缘密封区域的透明的第一边缘部分和第二边缘部分中的至少一个配置成与至少一个相邻的光电子器件封装重叠。所述边缘密封区域的非透明的第三边缘部分和第四边缘部分包括导电层,所述导电层配置成经由多个触头将光电子器件的阳极和阴极连接到外部电源。
在另一方面,本发明涉及一种阵列,所述阵列包括定位成至少一排的多个光电子器件封装,每个光电子器件封装封闭光电子器件,所述光电子器件封装包括沿着第一边缘部分和第二边缘部分限定透明区域的边缘密封区域和沿着第三边缘部分和第四边缘部分限定非透明区域的边缘密封区域。所述第一边缘部分和所述第二边缘部分是所述光电子器件封装的几何平行部分。所述第三边缘部分和所述第四边缘部分是几何平行边缘部分,并且大致正交于所述光电子器件封装的所述第一边缘部分和所述第二边缘部分取向。所述边缘密封区域的透明的第一边缘部分和第二边缘部分中的至少一个配置成与至少一个相邻的光电子器件封装重叠。所述边缘密封区域的非透明的第三边缘部分和第四边缘部分包括导电层,所述导电层配置成经由多个触头将光电子器件的阳极和阴极连接到外部电源。每个光电子器件封装与至少一个相邻的光电子器件封装重叠。
在另一方面,本发明涉及一种形成连续发光区域的OLED发光阵列。OLED发光阵列包括多个封装,每个封装封闭光电子器件,并且布置成至少一排。每个封装包括电活性区域和限定透明部分和非透明部分的边缘密封区域,所述非透明部分包括导电层,所述导电层配置成经由多个端子将光电子器件连接到外部电源。每个封装的所述边缘密封区域的所述透明部分与相邻封装的所述电活性区域重叠。所述排中的每个相邻封装的所述电活性区域与所述排中的相邻封装的所述边缘密封区域的所述非透明部分重叠。每个封装的透明边缘沿着线性阳极总线对准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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