[发明专利]包含源极栅极的设备及方法

权利要求书

1.一种设备，其包括：

电荷存储装置串，其与包括半导体材料的柱相关联；

源极栅极装置；及

源极选择装置，其耦合于所述电荷存储装置串与所述源极栅极装置之间。

2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括耦合于所述电荷存储装置串与数据线之间的漏极选择装置。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备包括存储器装置。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备包括系统。

5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括源极，其中所述源极栅极装置耦合到所述源极。

6.根据权利要求1所述的设备，其中每一电荷存储装置包括浮动栅极晶体管。

7.根据权利要求1所述的设备，其中每一电荷存储装置包括电荷陷阱晶体管。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述柱从数据线延伸到衬底中的阱。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述柱包括多晶硅。

10.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述串为多个串中的一者；且

所述源极选择装置为多个源极选择装置中的一者，其中所述多个源极选择装置中的每一者在所述多个串中的对应一者与所述源极栅极装置之间。

11.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述串为多个串中的一者；且

所述源极选择装置耦合于所述多个串与所述源极栅极装置之间。

12.一种设备，其包括：

多个电荷存储装置串，每一串包括与包括半导体材料的一相应柱相关联的相应多个电荷存储装置；

漏极选择栅极，其至少部分地环绕所述多个串的所述相应柱，其中所述漏极选择栅极在所述多个电荷存储装置串与相应数据线之间；

源极栅极，其至少部分地环绕所述多个串的所述相应柱；及

源极选择栅极，其至少部分地环绕所述多个串的所述相应柱，其中所述源极选择栅极在所述多个电荷存储装置串与所述源极栅极之间。

13.根据权利要求12所述的设备，其中：

所述多个串包括两个串；且

其中所述漏极选择栅极、所述源极栅极及所述源极选择栅极中的每一者至少部分地环绕与所述两个串相关联的两个柱。

14.根据权利要求12所述的设备，其中所述多个串包括串块的子块，其中所述子块通过扩散区域而与所述串块的相邻子块分离。

15.根据权利要求12所述的设备，其中：

所述漏极选择栅极包括漏极选择装置的一部分；且

所述源极选择栅极包括源极选择装置的一部分。

16.根据权利要求12所述的设备，其中所述源极栅极包括源极栅极装置的一部分。

17.一种设备，其包括：

多个块，每一块包括多个串，每一串包括与从衬底延伸的一相应柱相关联的多个电荷存储装置，所述柱包括半导体材料；及

导电部件，其耦合到所述衬底在所述块之间，其中所述导电部件经配置以偏置所述串的共用源极。

18.根据权利要求17所述的设备，其中：

所述衬底包括p型衬底；且

所述导电部件耦合到所述p型衬底中的n+型扩散区域。

19.根据权利要求18所述的设备，其进一步包括所述p型衬底中的多个n+型扩散区域，其包含所述n+型扩散区域。

20.根据权利要求17所述的设备，其中所述导电部件具有从所述衬底突出的壁形状。

21.根据权利要求17所述的设备，其中所述导电部件包括半导体材料。

22.根据权利要求21所述的设备，其中所述导电部件包括多晶硅。

23.根据权利要求17所述的设备，其中所述导电部件包括金属。