[发明专利]包含源极栅极的设备及方法

说明书

优先权申请案

本申请案主张来自2011年8月15日提出申请的第13／210,194号美国申请案的优先权权益，所述美国申请案的全文以引用方式并入本文中。

背景技术

半导体存储器装置用于例如个人数字助理(PDA)、膝上型计算机、移动电话及数码相机等许多电子装置中。这些半导体存储器装置中的一些半导体存储器装置具有电荷存储晶体管阵列。

附图说明

在所附图式的各图中通过举例而非限制的方式图解说明一些实施例，其中：

图1A及1B是根据本发明的各种实施例的存储器单元块的电示意图；

图2是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图；

图3是根据本发明的各种实施例的半导体构造的横截面图；

图4是根据本发明的各种实施例的半导体构造的横截面图；

图5是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图；

图6是根据本发明的各种实施例的半导体构造的横截面图；

图7是根据本发明的各种实施例的半导体构造的横截面图；

图8是根据本发明的各种实施例的半导体构造的横截面图；

图9是根据本发明的各种实施例的方法的流程图；及

图10是图解说明根据本发明的各种实施例的系统的图式。

具体实施方式

根据本发明的各种实施例的电荷存储装置阵列可用作存储器装置(例如“与非”(NAND)存储器装置)中的存储器单元阵列。

出于本文件的目的，“半导体材料层叠”可意指形成于同一平面、秩、行或单元中(例如在结构的水平或垂直或者倾斜平面、行、秩或单元中)的半导体材料。同时，“设备”可指电路、装置或系统。

图1A及1B是根据本发明的各种实施例的存储器单元块100的电示意图。块100包含电荷存储装置118的串110。单个NAND存储器装置可包含多个串。

串110布置于块100的行及列中。图1A展示与存储器单元块100的一个垂直平面对准的单个行的四个串110。图1B展示各自具有四个串110(总共十二个串110)的三个行。每一串110包含串联耦合的四个电荷存储装置118，但每一串110可包含更少或更多电荷存储装置118。每一串110包含串110的底部处的源极选择装置122及串110的顶部处的漏极选择装置126。

漏极选择装置126耦合于电荷存储装置118与数据线130之间。存在耦合到串110的四个数据线130，每一数据线130耦合到块100的列中的串110中的三个串。源极选择装置122耦合于电荷存储装置118与源极栅极140之间。

源极选择装置122具有耦合到源极选择栅极(SGS)线150的SGS。存在耦合到块100中的源极选择装置122的三个SGS线150，每一SGS线150耦合到块100的行中的源极选择装置122中的四个源极选择装置的栅极。SGS线150实质上正交于数据线130。

漏极选择装置126具有耦合到漏极选择栅极(SGD)线160的SGD。存在耦合到块100中的漏极选择装置126的三个SGD线160，每一SGD线160耦合到块100的行中的漏极选择装置126中的四个漏极选择装置的栅极。SGD线160实质上正交于数据线130。源极栅极140实质上控制串110中的由第一源极栅极装置170表示的第一通道及衬底(未展示)中的由第二源极栅极装置172表示的第二通道中的导电。块100中的所有串110的源极栅极140均耦合到单个源极栅极线176。块100的每一行中的第二源极栅极装置172串联耦合于相应串110与共用源极线180之间。

电荷存储装置118中的每一者可包括具有电荷陷阱或浮动栅极(举例来说)的晶体管。每一电荷存储装置118可包括能够保持多个单独且相异阈值电压状态(例如，对应于相应阈值电压范围)的多状态装置，每一阈值电压状态表示不同数据。源极选择装置122及漏极选择装置126中的每一者可包括晶体管。

图2是根据本发明的各种实施例的半导体构造200的俯视图。半导体构造200包含360个柱204，所述柱包括半导体材料。举例来说，柱204可包括多晶硅。柱204中的每一者给NAND存储器装置中的串中的多个电荷存储装置提供通道。