[发明专利]肖特基二极管

权利要求书

1.一种肖特基二极管，包括：

漂移层，其具有与有源区域和同所述有源区域基本上横向相邻的边缘终端区域相关联的第一表面，其中所述漂移层主要地掺杂有第一导电类型的掺杂材料，并且所述边缘终端区域具有从所述第一表面延伸到所述漂移层中的边缘终端凹进；

在所述第一表面的有源区域上的用以形成肖特基结的肖特基层，所述肖特基层由有低位垒高度能力的金属形成；

在边缘终端凹进的底表面中所形成的边缘终端结构。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述肖特基结具有小于0.9电子伏特的位垒高度。

3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中：

所述肖特基层的有低位垒高度能力的金属包括钽；并且

所述边缘终端凹进基本上在所述有源区域附近延伸；并且

所述边缘终端结构包括基本上在所述有源区域附近延伸的多个保护环。

4.根据权利要求3所述的肖特基二极管，其中所述有源区域在所述漂移层中的台面上被提供并且还包括基本上在所述肖特基层附近延伸的台面保护环，使得所述台面保护环居于肖特基层和所述多个保护环之间。

5.根据权利要求4所述的肖特基二极管，其中在所述边缘终端凹进的底表面下方的所述漂移层中形成凹阱，并且所述凹阱掺杂有第二导电类型的掺杂材料，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反。

6.根据权利要求3所述的肖特基二极管，其中所述漂移层在被变薄的衬底上形成，所述被变薄的衬底是在形成所述漂移层之后被变薄的。

7.根据权利要求6所述的肖特基二极管，其中所述肖特基层的有低位垒高度能力的金属基本上由钽构成。

8.根据权利要求3所述的肖特基二极管，其中：

所述肖特基层的有低位垒高度能力的金属包括钽；并且

所述漂移层包括碳化硅。

9.根据权利要求8所述的肖特基二极管，其中所述肖特基层的有低位垒高度能力的金属基本上由钽构成。

10.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述肖特基层的有低位垒高度能力的金属包括钽。

11.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述肖特基层的有低位垒高度能力的金属包括由钛、铬和铝所构成的组中的至少一个。

12.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述肖特基层的有低位垒高度能力的金属基本上由钽构成。

13.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述边缘终端结构包括至少一个保护环。

14.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述边缘终端凹进基本上在所述有源区域附近延伸并且所述边缘终端结构包括基本上在所述有源区域附近延伸的多个保护环。

15.根据权利要求14所述的肖特基二极管，其中所述有源区域在所述漂移层中的台面上被提供并且还包括基本上在所述肖特基层附近延伸的台面保护环，使得所述台面保护环居于所述肖特基层和所述多个保护环之间。

16.根据权利要求15所述的肖特基二极管，其中在所述有源区域附近的所述漂移层的第一表面包括台面保护环凹进，使得所述台面保护环是延伸到在所述台面保护环凹进附近的所述漂移层中的掺杂区域，并且所述掺杂区域掺杂有第二导电类型的掺杂材料，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反。

17.根据权利要求14所述的肖特基二极管，其中在所述边缘终端凹进的底表面下方的所述漂移层中形成凹阱，并且所述凹阱掺杂有第二导电类型的掺杂材料，所述第二导电类型与第一导电类型相反。

18.根据权利要求14所述的肖特基二极管，其中所述边缘终端凹进的底表面包括多个保护环凹进，使得所述多个保护环中的至少一些是延伸到在所述多个保护环凹进中对应的一个附近的所述漂移层中的掺杂区域，并且所述掺杂区域掺杂有第二导电类型的掺杂材料，所述第二导电类型与第一导电类型相反。

19.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述漂移层在被变薄的衬底上形成，并且在所述被变薄的衬底的底表面上形成阴极接触，所述被变薄的衬底是在形成所述漂移层之后被变薄的。