[发明专利]具有保护膜形成层的切割膜片和芯片的制造方法

说明书

本发明的课题是提供具有保护膜形成层的切割膜片，其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片，并且可扩展，并且基材具有耐热性。本发明的解决方法是，本发明的具有保护膜形成层的切割膜片，其具有：基材膜、粘着剂层及保护膜形成层，并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，并且，基材膜，包括如下（a）～（c）的特性：（a）熔点超过130℃，或者不具有熔点、（b）以130℃加热2小时时的热收缩率为‑5～+5%、（c）MD方向及CD方向的断裂伸长率为100%以上，25%应力为100MPa以下。

技术领域

本发明涉及可于芯片背面形成保护膜且可提升芯片的制造效率的具有保护膜形成层的切割膜片。另外，本发明涉及使用具有保护膜形成层的切割膜片的芯片的制造方法。

背景技术

近几年，有使用所谓被称为面朝下（facedown）模式的安装方法的半导体装置的制造。在面朝下模式，使用在电路面上具有凸块等的电极的半导体芯片（以下，仅称为“芯片”。），该电极与基板接合。因此，与芯片的电路面相反侧的面（芯片背面）露出。

该露出的芯片背面有时以有机膜保护。先前，具有该有机膜所组成的保护膜的芯片，通过将液状的树脂以旋转涂布法，涂布于晶片背面，干燥、固化，与晶片一起将保护膜裁切而得到。但是，如此地形成的保护膜的厚度精度并不充分，有降低产品成品率的情形。

为解决上述问题，公开了一种芯片保护用膜，其具有：剥离膜片，及形成于该剥离片上，由能量线固化性成分与胶合剂高分子成分所组成的保护膜形成层（专利文献1）。

再者，在半导体芯片薄型化、高密度化的现在，要求即使曝露在严酷的温度条件下的情形，构装具有保护膜的芯片的半导体装置，具有更高的可靠度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-138026号公报

发明内容

[发明所要解决的课题]

根据本发明人等的研究，专利文献1所记载的芯片保护用膜，在固化保护膜形成层时会收缩，有可能发生使半导体晶片发生翘曲的问题。特别是，极薄的半导体晶片，上述问题很显著。半导体晶片翘曲，则有使晶片破损，或有可能降低对保护膜的标记（印记）精度。此外，专利文献1所记载的芯片用保护薄膜，在制造具有保护膜的芯片时，需要将具有保护膜的晶片粘贴于切割膜片，制造工序复杂。此外，通过切割将半导体晶片分割成芯片之后，为使取片容易，有进行将由周缘部拉开，使芯片间隔扩张的扩展的情形。此外，将保护膜形成层通过加热固化时，根据切割带的基材，有使基材因热变形，而对之后的工序造成不良影响的情形。

本发明是鉴于上述情形而完成的。即，本发明的目的是，提供具有保护膜形成层的切割膜片，其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片，并且可扩展，并且基材具有耐热性。

[用以解决课题的方法]

本发明，包含以下的要点。

[1]一种具有保护膜形成层的切割膜片，其具有基材膜、粘着剂层和保护膜形成层，

并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，

并且，基材膜，包括如下（a）～（c）的特性：

（a）熔点超过130℃，或者不具有熔点、

（b）以130℃加热2小时时的热收缩率为-5～+5%、

（c）MD方向及CD方向的断裂伸长率为100%以上，25%应力为100MPa以下。

[2]如[1]所述的具有保护膜形成层的切割膜片，其中，保护膜形成层是热固化性。