[发明专利]高速放大器

权利要求书

1.一种装置，其包含：

接收输入信号并产生输出信号的放大器，其中所述放大器包括：

接收所述输入信号的差分输入对；

第一晶体管，所述第一晶体管具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极，其中所述第一晶体管的所述第一无源电极耦合到所述差分对；和

第二晶体管，所述第二晶体管具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极，其中所述第二晶体管的所述控制电极耦合到所述第一晶体管的所述控制电极，并且其中所述第二晶体管的所述第一无源电极耦合到差分输入对；以及

前馈网络，所述前馈网络具有：

第一前馈电容器，其耦合在所述第一晶体管的所述第一无源电极和第二无源电极之间；和

第二前馈电容器，其耦合在所述第二晶体管的所述第一无源电极和第二无源电极之间。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述放大器进一步包括：

耦合到所述第一晶体管的所述第二无源电极的第一输出终端；

耦合到所述第二晶体管的所述第二无源电极的第二输出终端；以及

耦合到差分输入对的偏置网络。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一晶体管和第二晶体管是MOS晶体管，并且其中所述第一晶体管和第二晶体管中的每个的所述第一无源电极、所述第二无源电极和所述控制电极分别是源极、漏极和栅极。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一晶体管和第二晶体管进一步分别包括第一和第二PMOS晶体管。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述差分输入对进一步包括：

第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管在其漏极耦合到所述第一PMOS晶体管的源极并在其栅极接收所述输入信号的第一部分；

第四PMOS晶体管，所述第四PMOS晶体管在其漏极耦合到所述第二PMOS晶体管的源极并在其栅极接收所述输入信号的第二部分。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述偏置网络进一步包括：

第五PMOS晶体管，所述第五PMOS晶体管在其漏极耦合到所述第三PMOS晶体管的源极；以及

第六PMOS晶体管，所述第六PMOS晶体管在其漏极耦合到所述第四PMOS晶体管的源极并在其栅极耦合到所述第五PMOS晶体管的栅极。

7.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一晶体管和第二晶体管是双极型晶体管，并且其中所述第一晶体管和第二晶体管中的每个的所述第一无源电极、所述第二无源电极和所述控制电极分别是集电极、发射极和基极。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第一晶体管和第二晶体管进一步包括第一PNP晶体管。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一前馈电容器和第二前馈电容器进一步分别包括第一和第二金属-绝缘体-金属电容器即MIM电容器。

10.根据权利要求9所述的装置，其中第一和第二MIM电容器中的每个的电容为大约3pF。