[发明专利]发光元件、发光元件的制造方法以及发光装置有效
| 申请号： | 201280051053.5 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103890982A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 吴竹悟志 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;C09K11/00;C09K11/08;C09K11/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 制造 方法 以及 装置 | ||
1.一种发光元件，其具备：
第1波长转换部、及
第2波长转换部，其配置在所述第1波长转换部上，
所述第1波长转换部包含以A1B1Ow1（其中，A1包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，B1包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W1为用以保持电中性的正数）所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷，
所述第2波长转换部包含以A2B2Ow2（其中，A2包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，B2包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W2为用以保持电中性的正数）所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷，
所述A1中的La的含量多于所述A2中的La的含量，
所述A2中的Y、Gd及Lu的含量多于所述A1中的Y、Gd及Lu的含量。
2.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述A1包含La和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，
所述B1包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，
所述A2包含选自Gd及Y中的至少一种和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，
所述B2包含选自Zr及Hf中的至少一种。
3.如权利要求1或2所述的发光元件，其中，在照射波长为360nm的光时，自所述第1波长转换部射出的光与自所述第2波长转换部射出的光的混合光为白色。
4.如权利要求1～3中任一项所述的发光元件，其还具备设置在所述第1波长转换部与所述第2波长转换部之间的互扩散层。
5.一种发光元件的制造方法，其包括：
形成含有第1荧光体或其前体的第1陶瓷生片的工序；
形成含有第2荧光体或其前体的第2陶瓷生片的工序；
层叠所述第1陶瓷生片与所述第2陶瓷生片而制作层叠体的工序；及
烧结工序，通过烧结所述层叠体，而获得包含由所述第1陶瓷生片形成的第1波长转换部、以及由所述第2陶瓷生片形成且与所述第1波长转换部接合的第2波长转换部的发光元件。
6.如权利要求5所述的发光元件的制造方法，其中，在所述烧结工序中，以在所述第1波长转换部与所述第2波长转换部之间形成互扩散层的方式烧结所述层叠体。
7.如权利要求5或6所述的发光元件的制造方法，其中，
所述第1荧光体包含以A1B1Ow1（其中，A1包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，B1包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W1为用以保持电中性的正数）所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷，
所述第2荧光体包含以A2B2Ow2（其中，A2包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，B2包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W2为用以保持电中性的正数）所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷，
所述A1中的La的含量多于所述A2中的La的含量，
所述A2中的Y、Gd及Lu的含量多于所述A1中的Y、Gd及Lu的含量。
8.一种发光装置，其包含权利要求1～4中任一项所述的发光元件、以及对发光元件射出所述发光元件的激发光的光源。
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