[发明专利]发光元件、发光元件的制造方法以及发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光元件、发光元件的制造方法以及发光装置。

背景技术

目前，作为白色光源，众所周知有：具有蓝色LED（Light Emitting Diode，发光二极管）和含有荧光体的波长转换元件，射出白色光的白色光源，其中，该白色光为自蓝色LED射出并透过荧光体的光与来自荧光体的荧光的混合光（例如，参照专利文献1）。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2010-512014号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，在专利文献1所记载的白色光源中，存在因蓝色LED的发光特性的差异或变动等而导致射出光的色调发生变化的情况。此外，自蓝色LED或波长转换元件射出的光的波长带（帯域）较窄。因此，专利文献1所记载的白色光源难以获得优异的显色性。

鉴于此种问题，业界要求一种产生较宽的波长带的发光的发光元件。

本发明的主要目的在于，提供一种产生较宽的波长带的发光的发光元件。

用于解决问题的方法

本发明的发光元件具备第1波长转换部及第2波长转换部。第2波长转换部配置于第1波长转换部上。第1波长转换部包含以A¹B¹O_w1（其中，A¹包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，B¹包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W1为用以保持电中性的正数）所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷。第2波长转换部包含以A²B²O_w2（其中，A²包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，B²包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W2为用以保持电中性的正数）所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷。A¹中的La的含量多于A²中的La的含量。A²中的Y、Gd及Lu的含量多于A¹中的Y、Gd及Lu的含量。

在本发明所涉及的发光元件的某特定方式中，A¹包含La和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi。B¹包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种。A²包含选自Gd及Y中的至少一种和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi。B²包含选自Zr及Hf中的至少一种。

在本发明所涉及的发光元件的另一特定方式中，当照射波长为360nm的光时，自第1波长转换部射出的光与自第2波长转换部射出的光的混合光为白色。

在本发明中，所谓“白色”是指：在CIE1960uv色度图中，光源的色度坐标与黑体辐射轨道的距离duv为0.02以下、且与其最接近的黑体辐射轨道上的温度即相关色温为3000K～10000K的光源。

在本发明所涉及的发光元件的另外的特定方式中，发光元件还具备设置于第1波长转换部与第2波长转换部之间的互扩散层。

在本发明的发光元件的制造方法中，形成含有第1荧光体或其前体的第1陶瓷生片。形成含有第2荧光体或其前体的第2陶瓷生片。层叠第1陶瓷生片与第2陶瓷生片而制作层叠体。进行如下烧结工序：通过烧结层叠体，而获得包含由第1陶瓷生片形成的第1波长转换部、及由第2陶瓷生片形成且与第1波长转换部接合的第2波长转换部的发光元件。

在本发明所涉及的发光元件的制造方法的某个特定方式中，在烧结工序中，以在第1波长转换部与第2波长转换部之间形成互扩散层的方式烧结层叠体。需要说明的是，此时也可以为了缓和烧结所产生的应力，而在第1生片与第2生片之间包含具有各个生片的中间的组成的第3生片，该情形也不会影响到以下说明中的作用、效果。此外，在该情形下，有时能够抑制龟裂的产生率。