[发明专利]具有腔室壁温度控制的等离子体反应器

权利要求书

1.一种用于处理基板的设备，包括：

第一导电本体，经调整尺寸以绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；

第一导电环，具有内缘及外缘，所述内缘耦接至所述第一导电本体的第一端，所述外缘自所述内缘径向向外而设置；

第二导电本体，耦接至所述第一导电环的所述外缘，并具有至少一部分设于所述第一导电环上，其中所述第二导电本体的所述至少一部分及所述第一导电环部分地界定所述第一导电环上的第一区域；

第三导电本体，耦接至所述第一导电本体的与所述第一端相对的第二端以防止所述第一导电本体直接接触所述处理腔室的壁，其中所述第三导电本体、所述第一导电环及所述第一导电本体部分地界定设于所述第一区域下的第二区域；及

加热器，经配置成加热所述第一导电本体、所述第二导电本体及所述第一导电环。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一导电环还包括：

数个开口，穿过所述第一导电环设置以将位于所述基板支撑件的处理表面上的所述第一区域流体地耦接至所述第二区域。

3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二导电本体还包括：

第一通道，与所述第一区域隔开，其中所述第一通道设于所述第二导电本体中并绕所述第一区域而设置，且其中所述加热器设于所述第一通道中。

4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一导电本体、所述第二导电本体、所述第三导电本体及所述第一导电环的每一个皆包括铝(Al)。

5.如权利要求1所述的设备，还包括：

非导电涂层，形成于所述第二导电本体和所述第一导电环的面对所述第一区域的表面上。

6.如权利要求1所述的设备，还包括：

第四本体，在所述第二导电本体外部并且绕所述第二导电本体而设置，并具有第二通道以使冷却剂流经所述第二通道。

7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二导电本体和所述第一导电环以单一件而制成。

8.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一导电本体还包括：

数个开口，穿过所述第一导电环设置以将位于所述基板支撑件的处理表面上的所述第一区域流体地耦接至设置在所述第一导电环下的所述第二区域。

9.如权利要求8所述的设备，其特征在于，所述第二导电本体还包括：

第一通道，与所述第一区域隔开，其中所述第一通道设于所述第二导电本体中并绕所述第一区域而设置，且其中所述加热器设于所述第一通道中。

10.一种基板处理设备，包括：

处理腔室，具有内部容积以及设置于所述内部容积内的基板支撑件；以及

设置于所述处理腔室的内部容积内的如前述权利要求6所述的用于处理基板的设备。

11.如权利要求10所述的基板处理设备，其特征在于，所述第一导电本体经由所述第三导电本体电性耦合至所述处理腔室的壁，并且经由所述第三导电本体与所述处理腔室的壁热去耦。

12.如权利要求10所述的基板处理设备，还包括：

冷却剂源，提供所述冷却剂至所述第四本体的所述第二通道。

13.如权利要求10所述的基板处理设备，还包括：

感应耦合等离子体设备，设于所述处理腔室的室顶上，所述感应耦合等离子体设备具有耦合至RF电源的第一RF线圈及第二RF线圈。

14.一种基板处理设备，包括：

处理腔室，具有内部容积以及设置于所述内部容积内的基板支撑件；以及

设置于所述处理腔室的内部容积内的如前述权利要求1-5，7-9中任一项所述的用于处理基板的设备。

15.如权利要求14所述的基板处理设备，其特征在于，所述第一导电本体经由所述第三导电本体电性耦合至所述处理腔室的壁，并且经由所述第三导电本体与所述处理腔室的壁热去耦。

16.如权利要求14所述的基板处理设备，还包括：

感应耦合等离子体设备，设于所述处理腔室的室顶上，所述感应耦合等离子体设备具有耦合至RF电源的第一RF线圈及第二RF线圈。