[发明专利]具有腔室壁温度控制的等离子体反应器

说明书

技术领域

本发明的实施例大体关于基板处理设备。

背景技术

基板处理系统，如等离子体反应器，可用以于基板上沉积、蚀刻或形成层。有益于控制此基板处理的方面的一个参数为用以处理基板的等离子体反应器的壁温度。

因此，发明人于此提供基板处理系统的实施例，这些实施例可提供基板处理系统的衬垫或腔室壁的改良温度控制。

发明内容

于此提供一种用于处理基板的设备。于一些实施例中，用于处理基板的设备可包含：第一导电本体，绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，该内缘耦接至第一导电本体的第一端，该外缘自内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至第一导电环的外缘，并具有至少一部分设于第一导电环上，其中第二导电环的至少一部分和第一导电环部分地界定第一导电环上的第一区域；及加热器，经配置成加热第一导电本体、第二导电本体及第一导电环。

于一些实施例中，基板处理设备可包含：处理腔室，具有内部容积及设置于内部容积中的基板支撑件；第一导电本体，绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，该内缘耦接至第一导电本体的第一端，该外缘自内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至第一导电环的外缘，并具有至少一部分设于第一导电环上，其中第二导电本体的至少一部分及第一导电环部分地界定第一导电环上的第一区域；及加热器，经配置成加热第一导电本体、第二导电本体及第一导电环。

于一些实施例中，基板处理设备可包含：处理腔室，具有内部容积及设置于内部容积中的基板支撑件；第一导电本体，绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，内缘耦接至第一导电本体的第一端，该外缘自内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至第一导电环的外缘，并具有至少一部分设于第一导电环上，第二导电本体具有设于第二导电本体中并与内部容积隔开的第一通道，其中第二导电本体的至少一部分及第一导电环部分地界定第一导电环上的第一区域；及第三导电本体，耦接至第一导电本体的与第一端相对的第二端，其中第三导电本体、第一导电环及第一导电本体部分地界定设于第一区域下的第二区域，且其中第三导电本体将第一导电本体电性地耦接至处理腔室的壁并将第一导电本体与处理腔室的壁热去耦；第四本体，在第二导电本体外部并且绕第二导电本体而设置，并具有第二通道以使冷却剂流经第二通道；及加热器，设于第二导电本体的第一通道中并经配置成加热第一导电本体、第二导电本体及第一导电环。

本发明的其他和进一步的实施例说明于下。

附图说明

简短摘要于发明内容及详细讨论于具体实施方式中的本发明的实施例可通过参考描绘于附图中的本发明的说明性实施例而了解。然而，应注意附图仅说明此发明的典型实施例，且不应被视为限制本发明的范围，因为本发明可允许其他等效的实施例。

图1描述了依据本发明的一些实施例的等离子体反应器的概要图。

图2描述了依据本发明的一些实施例，描述于图1中的等离子体反应器的一部分的概要图。

图3描述了依据本发明的一些实施例的腔室衬垫的概要图。

图4A-4D分别描述了依据本发明的一些实施例的腔室衬垫的立体图、俯视图、侧视图及剖视图。

图4E-4G分别描述了依据本发明的一些实施例，描述于图4A-4D中的腔室衬垫的帽体的侧视图、俯视图、侧剖视图及部分视图。

为帮助理解，尽可能的使用相同的元件符号以指定共用于附图中的相同元件。这些附图并未按比例绘制且可为清晰的目的而简化。亦应考量一个实施例的元件及特征可有益地并入于其他的实施例中，而毋须进一步的详述。

具体实施方式

于此揭露一种用于处理基板的设备。本发明设备的优点为可通过控制基板处理系统的温度而帮助减少于处理期间于基板上的瑕疵及/或颗粒形成。于此所述的基板处理系统的一或多个组件的温度控制可进一步改良于基板处理系统中的等离子体特性，如等离子体密度及/或等离子体通量。所述的改良的温度控制可有益地导致改良的处理良率、每次运行的稳定度、较高的产出，或如下所讨论的类似优点。