[发明专利]钯-金合金气体分离膜体系的制备方法

权利要求书

1.制备金-钯合金气体分离膜系统的方法，所述方法包括：

提供平均表面粗糙度(Sa)小于0.8微米的钯层；

用研磨介质研磨所述钯层，以将所述表面粗糙度增加到平均表面粗糙度(Sa)超过0.8微米；

将所述研磨过的钯表面与包含氯金酸或其盐和过氧化氢的溶液接触足以在所述钯层上沉积金层的一段时间，和；

退火所述钯和金层以产生所述钯-金合金气体分离膜。

2.权利要求1所述的方法，其中所述钯层在与所述溶液接触之前被研磨到平均表面粗糙度(Sa)最高2.5微米。

3.权利要求1或权利要求2所述的方法，其中通过使用基本由氯金酸和过氧化氢组成的镀液进行无电镀敷，从而在所述钯层上沉积金。

4.权利要求1至3任一项所述的方法，其中所述钯层用粒度为从1至10微米的研磨介质进行研磨。

5.权利要求1至4任一项所述的方法，其中所述钯层上沉积的金层具有0.1微米和7微米之间的厚度。

6.权利要求1至5任一项所述的方法，其中所述金层为总钯层的1wt％至20wt％。

7.权利要求1至6任一项所述的方法，其中在所述钯层上沉积所述金层之后，将该联合的层退火以产生钯-金合金。

8.权利要求1至7任一项所述的方法，其中所述钯层在与所述溶液接触之前，被研磨到平均表面粗糙度(Sa)在0.85微米和1.5微米之间。

9.权利要求1至8任一项所述的方法，其中所述钯层上沉积的金层具有0.25微米和7微米之间的厚度。

10.权利要求1至9任一项所述的方法，其中所述钯-金合金具有1微米和10微米之间的厚度。

11.权利要求1至10任一项所述的方法，其中所述联合的金和钯层在400℃和800℃之间的温度下退火。

12.权利要求1至11任一项所述的方法，其中所述钯层在与所述溶液接触之前，被研磨到平均表面粗糙度(Sa)在0.9微米和1.2微米之间。

13.权利要求1至11任一项所述的方法，其中所述金层为总钯层的5wt％至20wt％。

14.制备钯-金合金气体分离膜系统的方法，所述方法包括：

向多孔基底施加金属间扩散阻挡层；在所述金属间扩散阻挡层上沉积钯层；热处理所述钯层以提供热处理的钯层；研磨所述热处理的钯层至平均表面粗糙度(Sa)超过0.8微米直至2.5微米；和，通过将所述热处理的研磨过的钯层与包含氯金酸或其盐和过氧化氢的溶液接触，从而在所述热处理的、研磨过的钯层上沉积金层。

15.权利要求14所述的方法，其中在所述钯层上沉积所述金层之后，将所述联合的层退火以产生钯-金合金。

16.权利要求14或权利要求15所述的方法，其中所述钯层在与所述溶液接触之前，被研磨到平均表面粗糙度(Sa)在0.85微米和1.5微米之间。

17.权利要求14至16任一项所述的方法，其中所述钯层上沉积的金层具有0.25微米和7微米之间的厚度。

18.权利要求14至17任一项所述的方法，其中所述联合的金和钯层在氢气氛中在500℃和600℃之间的温度下退火。

19.通过权利要求1至18的任一项方法制备的钯-金合金气体分离膜系统。

20.权利要求19的任一种钯-金合金气体分离膜系统的用途。