[发明专利]用于调整半导体晶体管的驱动电流的方法和装置

权利要求书

1.一种用于修复晶体管的方法，包括：

给PFET(300)的源极(304)施加第一电压达第一预定时间；

给所述PFET(300)的栅极(302)施加第二电压达所述第一预定时间；以及

给所述PFET的漏极(306)施加第三电压达所述第一预定时间，其中所述第一电压大于所述第二电压，而所述第二电压大于所述第三电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电压是电源电压(336)，而所述第三电压是地(333)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电压大于电源电压。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二电压小于所述电源电压。

5.一种用于修复晶体管的方法，包括：

给NFET(500)的漏极(506)施加第一电压达所述第一预定时间；

给所述NFET(500)的栅极(502)施加第二电压达所述第一预定时间；以及

给所述NFET(500)的源极(504)施加第三电压达所述第一预定时间，其中所述第一电压大于所述第二电压，而所述第二电压大于所述第三电压。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一电压是电源电压(336)，而所述第三电压是地(533)。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一电压大于电源电压。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二电压小于所述电源电压。

9.一种用于修复PFET(300)的装置，包括：

适合于将第一电压连接至PFET(300)的源极(304)的第一开关(314)；

适合于将第二电压连接至所述PFET(300)的栅极(302)的第二开关(316)；以及

适合于将第三电压(333)连接至所述PFET(300)的漏极(306)的第三开关(318)，其中所述第一开关(314)、第二开关(316)及第三开关(318)闭合达预定时间，并且其中所述第一电压大于所述第二电压，而所述第二电压大于所述第三电压。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述第一电压是电源电压(336)，而所述第三电压是地(333)。

11.根据权利要求9所述的装置，其中所述第一电压大于电源电压。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述第二电压小于所述电源电压。

13.一种用于修复NFET(500)的装置，包括：

适合于将第一电压连接至所述NFET(500)的漏极(506)的第一开关(512)；

适合于将第二电压连接至所述NFET(500)的栅极(502)的第二开关(516)；以及

适合于将第三电压连接至所述NFET(500)的源极(504)的第三开关(518)，其中所述第一开关(512)、第二开关(516)和第三开关(518)闭合达预定时间，并且其中所述第一电压大于所述第二电压，而所述第二电压大于所述第三电压。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述第一电压是电源电压(536)，而所述第三电压是地(533)。

15.根据权利要求13所述的装置，其中所述第一电压大于电源电压(536)。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述第二电压小于所述电源电压(536)。

17.一种用于修复多个晶体管(701、703、705)的方法，包括：

给多个PFET晶体管(701、703、705)的源极(704、744、764)施加第一电压达第一预定时间；

给所述多个PFET晶体管(701、703、705)的栅极(702、742、762)施加第二电压达所述第一预定时间；以及

给所述多个PFET晶体管(701、703、705)的漏极(706、746、766)施加第三电压达所述第一预定时间，其中所述第一电压大于所述第二电压，而所述第二电压大于所述第三电压。