[发明专利]溅射用钛靶在审
| 申请号： | 201280052810.0 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103890227A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 塚本志郎;牧野修仁;福岛笃志;八木和人;日野英治 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22B34/12;C22C14/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 用钛靶 | ||
1.一种溅射用钛靶，其为高纯度钛靶，其特征在于，含有合计0.5～5质量ppm的S作为添加成分，除了添加成分和气体成分以外，靶的纯度为99.995质量％以上。
2.一种溅射用钛靶，其为高纯度钛靶，其特征在于，含有合计0.5～3质量ppm(低于)的S作为添加成分，除了添加成分和气体成分以外，靶的纯度为99.995质量％以上。
3.如权利要求1或2所述的溅射用钛靶，其特征在于，除了添加成分和气体成分以外的纯度为99.999质量％以上。
4.如权利要求1～3中任一项所述的溅射用钛靶，其特征在于，靶的平均晶粒直径为60μm以下。
5.如权利要求1～3中任一项所述的溅射用钛靶，其特征在于，靶的平均晶粒直径为30μm以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的溅射用钛靶，其特征在于，将钛靶加热至500℃时靶的0.2％屈服强度为25MPa以上。
7.如权利要求1～5中任一项所述的溅射用钛靶，其特征在于，将钛靶加热至500℃时靶的0.2％屈服强度为30MPa以上。
8.如权利要求1～7中任一项所述的溅射用钛靶，其特征在于，钛靶晶体组织中的S析出物为100个/mm2以下。
9.如权利要求1～7中任一项所述的溅射用钛靶，其特征在于，钛靶晶体组织中的S析出物为30个/mm2以下。
10.如权利要求1～7中任一项所述的溅射用钛靶，其特征在于，钛靶晶体组织中的S析出物为10个/mm2以下。
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