[发明专利]切断性优秀的半导体晶片表面保护用粘结膜

权利要求书

1.一种半导体晶片表面保护用粘结膜，其基材膜的一侧表面形成有粘结层，其特征在于，上述基材膜的拉伸强度为2～10kg/mm²且断裂延伸率为50～200％，上述粘结层的凝胶含量为80％以上。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于，上述粘结膜的紫外线照射前的剥离力大于紫外线照射后的剥离力。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于，上述粘结膜的紫外线照射前的剥离力为400～1200g/in，紫外线照射后的剥离力为20～200g/in。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于，上述基材膜是选自由聚氯乙烯膜、聚氨基甲酸乙酯膜、聚烯烃膜、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜构成的组中的至少一种基材膜。

5.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于，上述基材膜的厚度为50～300μm。

6.一种半导体晶片表面保护用粘结膜的制备方法，其特征在于，包括：

形成基材膜的工序；

控制上述基材膜的拉伸强度及断裂延伸率的工序；

在上述基材膜的一侧表面形成粘结层的工序；以及

对形成上述粘结层的基材膜进行紫外线固化的工序。

7.根据权利要求6所述的半导体晶片表面保护用粘结膜的制备方法，其特征在于，控制上述基材膜的拉伸强度及断裂延伸率的工序中，将上述基材膜的拉伸强度控制为2～10kg/mm²，将上述基材膜的断裂延伸率为50～200％。

8.根据权利要求6所述的半导体晶片表面保护用粘结膜的制备方法，其特征在于，通过辊涂敷法、逆转辊涂敷法、凹版辊涂敷法、棒涂敷法、逗号涂敷法以及模压涂敷法中的一种方法，来进行在上述基材膜的一侧表面形成粘结层的工序。

9.根据权利要求6所述的半导体晶片表面保护用粘结膜的制备方法，其特征在于，上述粘结膜的紫外线照射前的剥离力为400～1200g/in且紫外线照射后的剥离力为20～200g/in。