[发明专利]切断性优秀的半导体晶片表面保护用粘结膜

说明书

技术领域

本发明涉及一种基材膜的一侧表面形成有粘结层的半导体晶片保护用粘结膜。

背景技术

半导体晶片保护用粘结膜为晶片形状，切割膜时需要任何条件下都能无抵抗地充分切割，这种性质叫作切断性或切割性。关于此，实际存在晶片涂敷后无法确保切割性且晶片变薄的情况下大量发生弯曲的问题。韩国公开专利第2003-0061300号记载了基于温度的刚度，但依然未能提出解决如上所述的问题的方法。

通常，用作晶片保护膜的粘结剂的厚度薄，因此对切割性的作用不大，而用作基材膜的高分子膜的作用却非常大，当前急需发明出能够确保基材膜的切割性来增大晶片芯片的收率的方案。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于，提供晶片研磨时所使用的具有优秀的切割性和切断性的半导体晶片表面保护用粘结膜及其制备方法。

本发明的另一目的在于，提供即使晶片变薄也能防止弯曲现象及晶片的破损现象的半导体晶片表面保护用粘结膜及其制备方法。

解决问题的手段

为了达成上述目的，提供半导体晶片表面保护用粘结膜，其基材膜的一侧表面形成有粘结层，其特征在于，上述基材膜的拉伸强度为2～10kg/mm²且断裂延伸率为50～200％，上述粘结层的凝胶含量为80％以上。

并且为了达成本发明的目的，提供半导体晶片表面保护用粘结膜的制备方法，其特征在于，包括：形成基材膜的工序；控制上述基材膜的拉伸强度及断裂延伸率的工序；在上述基材膜的一侧表面形成粘结层的工序；以及对形成上述粘结层的基材膜进行紫外线(UV)固化的工序。

发明的效果

基材膜的一侧表面形成有粘结层的晶片保护用粘结膜能够确保切割 性及切断性，在高温也不发生溶解等现象，因而晶片研磨时能够提高收率。

而且，晶片表面保护用粘结膜的制备方法包括控制拉伸强度和断裂延伸率的步骤，因此能够确保对于切割的抵抗性得以减少且维持干净面的切割性。并且晶片变薄的情况下，将弯曲现象最小化的同时能够防止晶片的破损现象。

具体实施方式

参照附图详细说明的以下实施例会让本发明的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法更加明确。但是，本发明不局限于以下所公开的实施例，能够以互不相同的各种方式实施，本实施例只用于使本发明的公开内容更加完整，有助于本发明所属技术领域的普通技术人员完整地理解本发明的范畴，本发明仅由发明要求保护范围定义。在说明书全文中，相同的附图标记表示相同的结构要素。

以下，对本发明进行详细说明。

晶片表面保护用粘结膜

本发明提供基材膜的一侧表面形成有粘结层的半导体晶片保护用粘结膜。

为了上述基材膜的良好的切割性，拉伸强度及断裂延伸率应该在最佳范围内。这时上述基材膜的拉伸强度可以为2～10kg/mm²且断裂延伸率可以为50～200％。上述拉伸强度为2～10kg/mm²的情况下，切断时抵抗性低，能够确保极其利落的切割性。如果拉伸强度小于2kg/mm²，则基材膜变得柔软，对切割的抵抗性会变高。并且，如果拉伸强度大于10kg/mm²，则膜自身剥离时冲击吸收力变低，以致于晶片研磨时变薄而发生卷曲(curl)。

断裂延伸率也是重要因素。断裂延伸率范围可以是50～200％。如果断裂延伸率小于50％，相当于拉伸强度大，晶片研磨时变薄，因而发生卷曲的可能性高。并且，如果断裂延伸率大于200％，则暗示着高分子排列沿其方向拉长，因而对于切割的抵抗性会变大。

上述基材膜，其特征在于，选自由聚氯乙烯(PVC)膜，聚氨基甲酸乙酯膜、聚烯烃膜、乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)共聚物膜，乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜构成的组中的至少一种基材膜。

上述基材膜的厚度影响膜自身的强度，而且背面加工时也影响晶片破损的防止，因此优选地根据晶片表面高度差及有无凸点电极来选择适当的厚度。

基材膜的厚度优选为50～300μm左右。特别是可将基材膜的厚度设成100～200μm左右。如基材膜的厚度极其薄，则膜自身强度变弱，同时粘结膜无法充分跟踪晶片表面上的突状物，因而对突状物的紧密性不充分，并且研磨晶片的背面时还会发生在与突状物相对应的晶片的背面发生凹痕的情况。

如果厚度太厚，则难以制备出粘结膜，影响生产力，而增加制备费用。