[发明专利]固体电解质有效
申请号: | 201280054657.5 | 申请日: | 2012-11-02 |
公开(公告)号: | CN104025363B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 菅原孝宜;顺毛直宪;油谷亮;樋口弘幸;中川将;太田刚;清野美胜 | 申请(专利权)人: | 出光兴产株式会社 |
主分类号: | H01M10/0562 | 分类号: | H01M10/0562;C03C10/16;H01B1/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 蔡晓菡,孟慧岚 |
地址: | 日本东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 电解质 | ||
1.固体电解质,其含有锂、磷、硫和Br作为构成成分,
并且在31P-NMR光谱中,在75.0ppm以上且80.0ppm以下的第一峰区域具有第一峰,并且在86.0ppm以上且92.0ppm以下的第二峰区域具有第二峰,
所述结晶化固体电解质具有下述式(A’)所示的组成,
LaPcSdXe…(A’)
式中,L表示锂,X表示选自I、Cl、Br和F的1者以上并且至少包含Br的卤素元素;a~e满足:a∶c∶d∶e=2~4.5∶1∶3.5~5∶0.1~1.5。
2.权利要求1所述的固体电解质,其中,相对于所述第一峰,处于所述第一峰区域和所述第二峰区域以外的区域的峰的强度比为0.5以下。
3.权利要求1或2所述的固体电解质,其中,所述第二峰(I2)相对于所述第一峰(I1)的峰强度比(I2/I1)为1~10。
4.权利要求1或2所述的固体电解质,其中,所述d为4。
5.权利要求1或2所述的固体电解质,其中,所述X为Br。
6.权利要求1或2所述的固体电解质,其具有结晶结构。
7.权利要求1或2所述的固体电解质,其以硫化锂和硫化磷、硫和磷、硫化磷和硫、或硫化磷和硫和磷、与
下述式(E’)所示的化合物为原料,
MwXx…(E’)
式中,M表示Li、P、S,X表示选自I、Cl、Br和F的1者以上并且至少包含Br的卤素元素;w表示1~2的整数,x表示1~10的整数。
8.权利要求7所述的固体电解质,其中,所述M为P,所述X为Br。
9.权利要求7所述的固体电解质,其中,所述M为Li,所述X为Br。
10.权利要求1或2所述的固体电解质,其中,离子传导率为5×10-4S/cm以上。
11.权利要求1或2所述的固体电解质,其中,通过水解试验得到的硫化氢浓度平均值为200ppm以下。
12.权利要求10所述的固体电解质,其含有20摩尔%以下的卤素元素作为构成成分。
13.电解质层,其含有权利要求1~12中任一项所述的固体电解质。
14.电池,其中,正极层、电解质层和负极层的至少一者含有权利要求1~12中任一项所述的固体电解质。
15.结晶化固体电解质的制造方法,其中,使硫化锂、硫化磷和含Br的化合物反应而制造固体电解质,对所述固体电解质进行加热,由此制造结晶化固体电解质,
所述含Br的化合物是下述式(E’)所示的化合物,
Mw-Xx…(E’)
式中,M表示Li,P,S,X表示选自I、Cl、Br和F的1者以上并且至少包含Br的卤素元素,w表示1~2的整数,x表示1~10的整数。
16.权利要求15所述的结晶化固体电解质的制造方法,其中,所述含Br的化合物为LiBr。
17.权利要求15所述的结晶化固体电解质的制造方法,其中,所述硫化磷为五硫化二磷。
18.权利要求15所述的结晶化固体电解质的制造方法,其中,所述加热的温度为所述固体电解质的玻璃化转变温度以上且在所述固体电解质的结晶化温度+100℃以下。
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