[发明专利]固体电解质有效
申请号: | 201280054657.5 | 申请日: | 2012-11-02 |
公开(公告)号: | CN104025363B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 菅原孝宜;顺毛直宪;油谷亮;樋口弘幸;中川将;太田刚;清野美胜 | 申请(专利权)人: | 出光兴产株式会社 |
主分类号: | H01M10/0562 | 分类号: | H01M10/0562;C03C10/16;H01B1/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 蔡晓菡,孟慧岚 |
地址: | 日本东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 电解质 | ||
技术领域
本发明涉及固体电解质。
背景技术
在全固体电池领域中,以往以来已知硫化物系固体电解质材料。例如,专利文献1中报道了将Li2S和P2S5以特定的摩尔比(68:32~73:27)混合,对其进行机械磨碎处理、并实施热处理,由此可得到具有高离子传导率(~2×10-3S/cm)的玻璃陶瓷电解质粒子。然而,本材料容易水解(与水接触而产生硫化氢),高露点环境下的使用中存在限制。
专利文献2中提出了抑制该水解性的技术。然而,本技术中虽然水解性降低,但却存在离子传导率大幅下降的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-228570号公报
专利文献2:日本特开2010-199033号公报。
发明内容
本发明的课题在于提供不易水解、且具有高离子传导率的固体电解质。
根据本发明,提供以下的固体电解质等。
1. 固体电解质,其含有碱金属元素、磷、硫和卤素作为构成成分。
2. 1所述的固体电解质,其中,所述碱金属元素为锂。
3. 1或2所述的固体电解质,其中,在1P-NMR光谱中,在75.0ppm以上且80.0ppm以下的峰区域具有峰。
4. 1~3中任一项所述的固体电解质,其中,在31P-NMR光谱中,在86.0ppm以上且92.0ppm以下的峰区域具有峰。
5. 1~4中任一项所述的固体电解质,其中,在31P-NMR光谱中,在75.0ppm以上且80.0ppm以下的第一峰区域具有第一峰,
相对于所述第一峰,处于所述第一峰区域、和86.0ppm以上且92.0ppm以下的区域即第二峰区域以外的区域的峰的强度比为0.5以下。
6. 5所述的固体电解质,其中,在所述第一峰区域和第二峰区域分别具有峰。
7. 6所述的固体电解质,其中,处于所述第二峰区域的第二峰(I2)相对于所述第一峰(I1)的峰强度比(I2/I1)为1~10。
8. 5~7中任一项所述的固体电解质,其中,离子传导率为5×10-4S/cm以上。
9. 5~8中任一项所述的固体电解质,其中,通过水解试验得到的硫化氢浓度平均值为200ppm以下。
10. 1~4中任一项所述的固体电解质,其中,离子传导率为3×10-4S/cm以上。
11. 1~4、10中任一项所述的固体电解质,其中,通过水解试验得到的硫化氢浓度平均值为200ppm以下。
12. 1~11中任一项所述的固体电解质,其具有下述式(A’)所示的组成,
LaMbPcSdXe…(A’)
式中,L表示碱金属,M表示B、Al、Si、Ge、As、Se、Sn、Sb、Te、Pb或Bi、或者它们的组合,X表示I、Cl、Br或F或者它们的组合;a~e满足:0<a≤12、0≤b≤0.2、c=1,0<d≤9、0<e≤9。
13. 12所述的固体电解质,其中,所述b为0。
14. 12所述的固体电解质,其中,所述d为4。
15. 12~14中任一项所述的固体电解质,其中,所述X为I、Br或Cl。
16. 12~15中任一项所述的固体电解质,其具有结晶结构。
17. 12~14中任一项所述的固体电解质,其中,所述X为Br或Cl,且该固体电解质为非晶质。
18. 12~17中任一项所述的固体电解质,其以硫化锂和硫化磷、硫和磷、硫化磷和硫、或硫化磷和硫和磷、与
下述式(E’)所示的化合物为原料,
MwXx…(E’)
式中,M表示Li、B、Al、Si、P、S、Ge、As、Se、Sn、Sb、Te、Pb或Bi,X表示F、Cl、Br或I;w表示1~2的整数,x表示1~10的整数。
19. 18所述的固体电解质,其中,所述M为P,所述X为Br、I或Cl。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于出光兴产株式会社,未经出光兴产株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280054657.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:学生实验台四组独立输出及保护装置
- 下一篇:多晶金属氧化物图形的制备方法