[发明专利]固化性组合物、涂布用组合物、固化膜、激光加工方法及多层布线结构体的制造方法无效
申请号: | 201280055867.6 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN103946326A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 伊藤昌宏;鹤冈薰;桑名保宏;永井雄介 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | C09D171/10 | 分类号: | C09D171/10;B23K26/00;B23K26/382;H01L21/302;H01L21/312;H01L21/768;H01L23/532 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡烨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固化 组合 涂布用 激光 加工 方法 多层 布线 结构 制造 | ||
技术领域
本发明涉及可通过激光消融法进行加工的固化性组合物、包含该固化性组合物的涂布用组合物、使该固化性组合物固化而得的固化膜、该固化膜的激光加工方法及使用该激光加工方法的多层布线结构体的制造方法。
背景技术
薄膜晶体管(TFT)等多层布线结构体用的绝缘膜的材料采用聚酰亚胺,但聚酰亚胺的介电常数较高,且吸水性高,因此在器件的性能、可靠性方面不足。
提出有作为介电常数低、吸水性低的绝缘膜的材料,采用例如旭硝子株式会社(旭硝子社)制的CYTOP(制品名)等含氟环状聚合物来制造多层布线结构体的方案(例如专利文献1)。
另外,多层布线结构体中,需要用于在栅极绝缘膜和平坦化膜等绝缘膜形成通孔的加工。作为其加工方法,采用例如使用光刻刻蚀剂的光刻法。绝缘膜的材料本身具有感光性的情况下,可不使用光刻刻蚀剂而通过光刻法进行加工。
然而,光刻法需要在图案曝光后进行显影、清洗等,工序数多。
于是,作为新的微细加工技术之一,通过向绝缘膜照射激光而对该绝缘膜进行局部分解除去的激光消融(laser ablation)法受到关注。例如专利文献2中记载了向由聚酰亚胺形成的绝缘膜照射激光而形成通(via)孔的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2000-100936号公报
专利文献2:日本专利特开2003-8174号公报
发明的概要
发明所要解决的技术问题
然而,据本发明人所知,所述CYTOP即使照射激光也不易发生膜的分解,无法通过激光消融法形成通孔。
本发明是鉴于上述情况而完成的发明,其目的在于提供固化膜的介电常数低、吸水性低且可通过激光消融法进行加工的固化性组合物、使该固化性组合物固化而得的固化膜的激光加工方法及使用该激光加工方法的多层布线结构体的制造方法。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明提供具有以下的[1]~[12]的构成的固化性组合物、涂布用组合物、固化膜、激光加工方法及多层布线结构体的制造方法。
[1]固化性组合物,它是用于获得一部分通过激光的照射被除去的固化膜的固化性组合物,其特征在于,包含具有交联性官能团的含氟聚亚芳基预聚物(A)。
[2]如上述[1]所述的固化性组合物,其中,所述固化性组合物中的含氟聚亚芳基预聚物(A)的含量为10~100质量%。
[3]如上述[1]或[2]所述的固化性组合物,其中,还包含化合物(B),所述化合物(B)的数均分子量为140~5000,具有2个以上的交联性官能团,不具有氟原子。
[4]如上述[1]~[3]中的任一项所述的固化性组合物,其中,还包含自由基聚合引发剂(C)。
[5]如上述[1]~[4]中的任一项所述的固化性组合物,其中,还包含吸收所照射的激光的色素(D)。
[6]如上述[1]~[5]中的任一项所述的固化性组合物,其中,所述含氟聚亚芳基预聚物(A)是通过使具有交联性官能团和酚性羟基的化合物(Y-1)以及具有交联性官能团和氟原子取代芳香环的化合物(Y-2)中的至少任一种与以下式(1)表示的含氟芳香族化合物(Z1)、具有3个以上的酚性羟基的化合物(Z2)在脱HF剂的存在下进行缩合反应而得的,具有交联性官能团和醚键的聚合物;
[化1]
式(1)中,n’为0~3的整数,a和b分别独立表示0~3的整数;Rf1和Rf2分别表示可相同或不同的碳数8以下的含氟烷基,芳香环内的F表示该芳香环的氢原子全部被氟原子取代。
[7]涂布用组合物,其特征在于,包含上述[1]~[6]中的任一项所述的固化性组合物和溶剂。
[8]固化膜,其特征在于,对于由上述[1]~[6]中的任一项所述的固化性组合物或上述[7]所述的涂布用组合物得到的涂膜,根据需要除去溶剂后,通过热固化或光固化进行固化而获得。
[9]激光加工方法,其特征在于,包括对上述[8]所述的固化膜照射激光而除去该膜的一部分的工序。
[10]如上述[9]所述的激光加工方法,其中,所述固化膜的厚度为0.1~100μm。
[11]如上述[9]或[10]所述的激光加工方法,其中,所述激光的激发波长为190~1100nm。
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