[发明专利]用于形成自对准触点和局部互连的方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造工艺，其包括：

提供晶体管，所述晶体管包括在半导体衬底上的多个替换金属栅极，其中第一栅极具有源极和漏极并且至少一个第二栅极与所述第一栅极隔离，其中所述晶体管包括围绕每一第一栅极的具有第一绝缘材料的栅极间隔物，和在所述栅极间隔物之间的具有第二绝缘材料的第一绝缘层，并且其中所述第二绝缘材料中的至少一些覆盖所述第一栅极的源极和漏极；

形成在所述栅极上方对准的一个或多个绝缘芯轴，其中所述绝缘芯轴包含所述第一绝缘材料；

形成围绕每一绝缘芯轴的芯轴间隔物，其中所述芯轴间隔物包含所述第一绝缘材料；

形成在所述晶体管上方的具有所述第二绝缘材料的第二绝缘层；

通过从所述晶体管的介于所述绝缘芯轴之间的部分移除所述第二绝缘材料，形成连至所述第一栅极的所述源极和漏极的一个或多个第一沟槽；

通过移除所述第二栅极上方的具有所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料的部分，形成连至所述第二栅极的第二沟槽；以及

用导电材料填充所述第一沟槽和所述第二沟槽，以形成连至所述第一栅极的所述源极和漏极的第一触点和连至所述第二栅极的第二触点。

2.如权利要求1所述的工艺，其进一步包括在单一工艺中用导电材料填充所述第一沟槽和所述第二沟槽。

3.如权利要求1所述的工艺，其中每一绝缘芯轴具有与其下伏栅极大致相同的宽度，其中每一芯轴至少与其下伏栅极一样宽。

4.如权利要求1所述的工艺，其中每一芯轴间隔物具有从底部较宽向顶部较窄倾斜的轮廓。

5.如权利要求1所述的工艺，其中每一芯轴间隔物的至少一部分暴露在所述第一沟槽的每一个中。

6.如权利要求1所述的工艺，其中所述绝缘芯轴的边缘延伸经过所述栅极的边缘。

7.如权利要求1所述的工艺，其中所述芯轴间隔物的边缘延伸经过所述栅极间隔物的边缘。

8.如权利要求1所述的工艺，其进一步包括通过在选择性地移除第二绝缘材料而不移除第一绝缘材料的工艺中移除所述第二绝缘材料，形成连至所述第一栅极的所述源极和漏极的所述第一沟槽。

9.如权利要求1所述的工艺，其进一步包括在形成所述绝缘芯轴之前在所述晶体管上方形成具有所述第二绝缘材料的薄层。

10.如权利要求1所述的工艺，其中所述第一触点包括由所述芯轴间隔物的斜度决定的斜度。

11.如权利要求1所述的工艺，其进一步包括在用导电材料填充所述第一沟槽和所述第二沟槽之后平坦化所述晶体管。

12.如权利要求1所述的工艺，其中使用CAD(计算机辅助设计)设计的界定所述第一沟槽和所述第二沟槽的抗蚀图案来完成所述第一沟槽和所述第二沟槽的形成。

13.如权利要求1所述的工艺，其进一步包括：

在所述晶体管上方形成第三绝缘层；

通过移除所述第三绝缘层的部分，形成穿过所述第三绝缘层到达所述第一触点和所述第二触点的第三沟槽；以及

通过将导电材料沉积在穿过所述第三绝缘层形成的所述第三沟槽中，形成连至所述第一触点和所述第二触点的局部互连。

14.如权利要求1所述的工艺，其进一步包括在选择性地移除第一绝缘材料而非第二绝缘材料的工艺中，将所述栅极上方的具有所述第一绝缘材料的部分移除，以使得所述沟槽与所述栅极对准。