[发明专利]射频层叠封装电路有效
申请号: | 201280056157.5 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN103930989B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | A·哈德吉克里斯托斯;G·S·萨霍塔;S·C·西卡雷利;D·J·维尔丁;R·D·莱恩;C·赫伦斯坦恩;M·P·沙哈 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66;H01L25/16 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 周敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 层叠 封装 电路 | ||
1.一种射频层叠封装电路,包括:
包括射频组件的第一射频封装;以及
包括射频组件的第二射频封装,其中所述第一射频封装和所述第二射频封装为垂直配置,并且其中所述第一射频封装上的射频组件被设计成补偿所述第一射频封装经历比所述第二射频封装大的接地电感;
其中所述第一射频封装位于所述第二射频封装的顶上。
2.如权利要求1所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第一射频封装包括无源射频组件。
3.如权利要求1所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第二射频封装包括有源射频组件。
4.如权利要求1所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第一射频封装上的每一个射频组件是无源射频组件。
5.如权利要求1所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第二射频封装上的每一个射频组件是有源射频组件。
6.如权利要求1所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第一射频封装包括有源射频组件。
7.如权利要求1所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第二射频封装包括无源射频组件。
8.如权利要求1所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第一射频封装上的每一个射频组件是有源射频组件。
9.如权利要求1所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第二射频封装上的每一个射频组件是无源射频组件。
10.如权利要求1所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述射频层叠封装电路实现在无线设备的前端电路中。
11.如权利要求1所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第一射频封装和所述第二射频封装上的射频组件根据所述射频层叠封装电路的期望厚度来设计。
12.如权利要求11所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述期望厚度等于或小于1毫米。
13.如权利要求11所述的射频层叠封装电路,其特征在于,根据所述射频层叠封装电路的期望厚度对所述第一射频封装和所述第二射频封装之一的一个或多个射频组件执行背面研磨。
14.如权利要求1所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第一射频封装包括一个或多个滤波器,并且其中所述第二射频封装包括一个或多个功率放大器。
15.如权利要求14所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述滤波器中的至少一个是表面声波滤波器。
16.如权利要求14所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述滤波器中的至少一个是体声波滤波器。
17.如权利要求1所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第一射频封装包括一个或多个功率放大器,并且其中所述第二射频封装包括一个或多个滤波器。
18.如权利要求17所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述滤波器中的至少一个是表面声波滤波器。
19.如权利要求17所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述滤波器中的至少一个是体声波滤波器。
20.如权利要求1所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第一射频封装和所述第二射频封装使用多个互连来耦合。
21.如权利要求20所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述多个互连包括焊球。
22.如权利要求20所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述多个互连包括通孔。
23.如权利要求20所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第一射频封装上的至少一个射频组件经由所述多个互连电耦合至所述第二射频封装上的至少一个射频组件。
24.如权利要求1所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第一射频封装包括一个或多个滤波器、双工器、低噪声放大器和开关。
25.如权利要求24所述的射频层叠封装电路,其特征在于,所述第二射频封装包括一个或多个天线开关和功率放大器。
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