[发明专利]摄像元件收纳用封装及摄像装置有效
申请号: | 201280057798.2 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103959466B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 山田浩;舟桥明彦;森山阳介 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/08;H01L31/0203;H01L31/0232;H04N5/225 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 刘文海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 元件 收纳 封装 装置 | ||
1.一种摄像元件收纳用封装,其特征在于,该摄像元件收纳用封装具备:
绝缘基体,其具有包含凹部的下表面和俯视透视下设于所述凹部的底面的贯通孔,在所述凹部的底面具有摄像元件的接合区域;
摄像元件连接用衬垫,其设于该绝缘基体的上表面或所述贯通孔的内表面。
2.根据权利要求1所述的摄像元件收纳用封装,其特征在于,
所述绝缘基体的上表面侧的所述贯通孔的开口部的宽度大于所述绝缘基体的下表面侧的所述贯通孔的开口部的宽度。
3.根据权利要求1所述的摄像元件收纳用封装,其特征在于,
所述绝缘基体的下表面侧的所述贯通孔的开口部的宽度大于所述绝缘基体的上表面侧的所述贯通孔的开口部的宽度。
4.根据权利要求2或3所述的摄像元件收纳用封装,其特征在于,
所述贯通孔的内表面具有倾斜面、曲面或台阶。
5.根据权利要求1所述的摄像元件收纳用封装,其特征在于,
在纵剖视下,所述绝缘基体的所述贯通孔的周缘部弯曲。
6.根据权利要求1所述的摄像元件收纳用封装,其特征在于,
所述摄像元件连接用衬垫设于所述绝缘基体的所述上表面,
所述绝缘基体具有设于所述贯通孔与所述摄像元件连接用衬垫之间的孔部。
7.根据权利要求6所述的摄像元件收纳用封装,其特征在于,
在俯视下,所述摄像元件连接用衬垫配置于所述贯通孔与所述孔部之间和所述孔部的外侧。
8.根据权利要求1所述的摄像元件收纳用封装,其特征在于,
所述绝缘基体具有设于所述上表面的缺口部。
9.一种摄像装置,其特征在于,该摄像装置具备:
权利要求1至5中任一项所述的摄像元件收纳用封装;
摄像元件,其收纳于所述凹部且接合于所述接合区域,利用以内嵌于所述贯通孔的方式设置的键合线而与所述摄像元件连接用衬垫电连接。
10.一种摄像装置,其特征在于,该摄像装置具备:
权利要求3所述的摄像元件收纳用封装;
摄像元件,其收纳于所述凹部且接合于所述接合区域,利用以内嵌于所述贯通孔的方式设置的键合线而与所述述摄像元件连接用衬垫电连接,
所述贯通孔的内表面与所述摄像元件通过接合材料接合在一起。
11.一种摄像装置,其特征在于,该摄像装置具备:
权利要求5所述的摄像元件收纳用封装;
摄像元件,其收纳于所述凹部且接合于所述接合区域,利用以内嵌于所述贯通孔的方式设置的键合线而与所述摄像元件连接用衬垫电连接,
所述接合区域与所述摄像元件通过接合材料接合在一起。
12.根据权利要求9所述的摄像装置,其特征在于,
所述键合线被第一绝缘构件覆盖。
13.根据权利要求12所述的摄像装置,其特征在于,
在所述绝缘基体的上表面侧还具有与所述绝缘基体的上表面隔开距离设置的透光板,该透光板与所述第一绝缘构件抵接。
14.根据权利要求12所述的摄像装置,其特征在于,
所述接合区域与所述摄像元件通过接合材料接合在一起,
所述第一绝缘构件及所述接合材料由相同的材料构成。
15.根据权利要求9所述的摄像装置,其特征在于,
该摄像装置还具备设于所述绝缘基体的所述上表面的电子部件或配线基板,
该电子部件或配线基板被附着于所述绝缘基体的第二绝缘构件覆盖。
16.根据权利要求9所述的摄像装置,其特征在于,
在俯视透视下,所述贯通孔的外形为矩形状,所述摄像元件连接用衬垫与矩形状的所述贯通孔的一对边对应地设置,
所述摄像元件与和所述贯通孔的一对边对应的部分的所述摄像元件连接用衬垫电连接,且与和所述贯通孔的另一对边对应的所述绝缘基体的区域接合。
17.根据权利要求16所述的摄像装置,其特征在于,
在俯视透视下,所述摄像元件的信号处理部与所述接合区域重合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的