[发明专利]摄像元件收纳用封装及摄像装置有效
申请号: | 201280057798.2 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103959466B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 山田浩;舟桥明彦;森山阳介 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/08;H01L31/0203;H01L31/0232;H04N5/225 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 刘文海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 元件 收纳 封装 装置 | ||
技术领域
本发明涉及收纳有CCD(Charge Coupled Device)型或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型等的摄像元件的摄像元件收纳用封装及摄像装置。
背景技术
以往,公知有应用于将CCD型或CMOS型等的摄像元件搭载于基体的数码相机、光学传感器等的摄像装置。作为这样的摄像装置,公知有下述的摄像装置,该摄像装置具有基体和倒装安装于基体的凹部的底面的摄像元件,该基体在中央部形成有贯通孔,且在下表面以贯通孔位于内侧的方式形成有凹部(例如,参照专利文献1)。基体在其下表面的贯通孔的周围配置有连接电极,在外周部配置有外部端子。这样的摄像装置利用摄像元件将例如通过贯通孔输入至摄像元件的受光部的光(图像)转换为电信号,并将电信号传送至基体的连接电极。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-201427号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,在例如重视便携性的便携式电话或数码相机等电子设备所使用的摄像装置中,要求进一步的低背化。相对于此,在上述那样的以往的摄像装置中,摄像元件倒装安装于绝缘基体,在绝缘基体与摄像元件之间存在有球状等的凸块,妨碍摄像装置的低背化。
用于解决课题的手段
本发明的一个技术方案的摄像元件收纳用封装具有绝缘基体和形成于该绝缘基体的摄像元件连接用衬垫。所述绝缘基体具有包含凹部的下表面及在俯视透视下设于所述凹部的底面的贯通孔。另外,所述绝缘基体在所述凹部的底面具有摄像元件的接合区域。
本发明的另一方案的摄像装置具有上述结构的摄像元件收纳用封装和收纳于该摄像元件收纳用封装的凹部的摄像元件。
发明效果
根据本发明的一个方案的摄像元件收纳用封装,例如能利用接合材料进行摄像元件收纳用封装和摄像元件的接合,并且能借助键合引线在形成于绝缘基体的上表面或贯通孔的内表面的摄像元件连接用衬垫进行摄像元件收纳用封装与摄像元件的电连接,通过取代存在于绝缘基体与摄像元件之间的凸块及连接电极而使用接合材料,能够降低绝缘基体的凹部的侧壁的高度,从而能够实现摄像元件收纳用封装的低背化。
根据本发明的另一方案的摄像装置,通过具有上述结构的摄像元件收纳用封装,能够实现低背化,从而能够实现连接可靠性提高了的摄像装置。
附图说明
图1(a)是表示本发明的第一实施方式中的摄像装置的一例的俯视透视图,(b)是表示图1(a)所示的摄像装置的沿1a-1a线的剖面的剖视图。
图2是表示本发明的第一实施方式中的摄像装置的一例的剖视图。
图3(a)是表示本发明的第一实施方式中的摄像装置的另一例的俯视透视图,(b)是表示图3(a)所示的摄像装置的沿1a-1a线的剖面的剖视图,(c)是图3(b)所示的摄像装置的1b部的放大剖视图。
图4是表示本发明的第一实施方式的摄像元件收纳用封装的另一例的制造方法中的、陶瓷坯片的贯通孔的形成方法的剖视图。
图5(a)~(c)是表示本发明的第一实施方式中的摄像装置的另一例的主要部分的放大剖视图。
图6(a)是表示本发明的第二实施方式中的摄像装置的一例的主要部分的放大剖视图,(b)~(d)是表示本发明的第二实施方式中的摄像装置的另一例的主要部分的放大剖视图。
图7(a)是表示本发明的第三实施方式中的摄像装置的一例的主要部分的放大剖视图,(b)是表示本发明的第三实施方式中的摄像装置的另一例的主要部分的放大剖视图。
图8(a)是表示本发明的第四实施方式中的摄像装置的一例的俯视透视图,(b)是表示图8(a)所示的摄像装置的沿1a-1a线的剖面的剖视图。
图9(a)是表示本发明的第四实施方式中的摄像装置的另一例的俯视透视图,(b)是表示图9(a)所示的摄像装置的沿1a-1a线的剖面的剖视图。
图10(a)是表示本发明的第五实施方式中的摄像装置的一例的主要部分的放大剖视图,(b)是表示图10(a)所示的摄像装置的沿1a-1a线的剖面的剖视图。
图11是表示本发明的第六实施方式中的摄像装置的一例的剖视图。
图12是表示本发明的第七实施方式中的摄像装置的一例的剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的