[发明专利]超低损耗的光纤无效
申请号: | 201280058007.8 | 申请日: | 2012-11-22 |
公开(公告)号: | CN103959112A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 李永燮;都文显;宋时镐;吴大焕;文大丞;吴庆焕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;延世大学校产学协力团 |
主分类号: | G02B6/028 | 分类号: | G02B6/028 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 损耗 光纤 | ||
1.一种超低损耗的光纤,包括:
芯,设置在所述光纤的中心部分处,并在所述光纤中具有最大的折射率;
沟槽,围绕所述芯且在所述光纤中具有最小的折射率;以及
覆层,围绕所述沟槽,
其中所述芯包括:第一子芯层,位于所述光纤的中心部分处,并在所述光纤中具有最大的折射率;
第二子芯层,围绕所述第一子芯层,并具有低于所述第一子芯层的折射率;以及
第三子芯层,围绕所述第二子芯层,并具有低于所述第二子芯层的折射率。
2.如权利要求1所述的超低损耗的光纤,其中所述光纤在1550nm的波长具有等于或小于0.18dB/km的传输损耗,并且在1383nm和1310nm的波长具有等于或小于0.31dB/km的传输损耗。
3.如权利要求2所述的超低损耗的光纤,其中所述光纤可具有1300~1324nm的零色散波长、在1310nm的波长的8.8~9.6μm的模场直径(MFD)、在1550nm波长的等于或小于18.0ps/(km.nm)的色散值、等于或小于0.092ps/nm2.km的零色散斜率、以及等于或小于1260nm的截止波长。
4.如权利要求1所述的超低损耗的光纤,其中所述第一子芯层具有大于0且等于或小于0.0039的折射率差Δn1以及大于0且等于或小于2.7μm的外周边半径a1,所述第二子芯层具有大于0且等于或小于0.0022的折射率差Δn2以及大于0且等于或小于4.4μm的外周边半径a2,所述第三子芯层具有大于0且等于或小于6.2μm的外周边半径a3,并且所述沟槽具有小于0且等于或大于-0.0012的折射率差Δn4以及大于0且等于或小于32μm的外周边半径a4。
5.如权利要求4所述的超低损耗光纤,其中所述光纤满足以下条件,0.0035≤Δn1≤0.0039,2.3μm≤a1≤2.7μm,0.0018≤Δn2≤0.0022,4.0μm≤a2≤4.4μm,5.8μm≤a3≤6.2μm,-0.0012≤Δn4≤-0.0008,以及28μm≤a4≤32μm。
6.一种超低损耗的光纤,包括:
芯,设置在所述光纤的中心部分处,并在所述光纤中具有最大的折射率;
沟槽,围绕所述芯且在所述光纤中具有最小的折射率;以及
覆层,围绕所述沟槽,
其中所述芯包括:第一子芯层,位于所述光纤的中心部分处,并在所述光纤中具有低于最大折射率的折射率;
第二子芯层,围绕所述第一子芯层,并在所述光纤中具有最大折射率;以及
第三子芯层,围绕所述第二子芯层,并具有低于所述第二子芯层的折射率。
7.如权利要求6所述的超低损耗的光纤,其中所述光纤在1550nm的波长具有等于或小于0.18dB/km的传输损耗,并且在1383nm和1310nm的波长具有等于或小于0.31dB/km的传输损耗。
8.如权利要求7所述的超低损耗的光纤,其中所述光纤具有1300~1324nm的零色散波长、在1550nm的波长的等于或小于18.0ps/(km.nm)的色散值、以及等于或小于0.092ps/nm2.km的零色散斜率。
9.如权利要求6所述的超低损耗的光纤,其中所述第一子芯层具有大于0且等于或小于1.7μm的外周边半径a1,所述第二子芯层具有大于0且等于或小于0.0022的折射率差Δn2以及大于0且等于或小于4.4μm的外周边半径a2,所述第三子芯层具有大于0且等于或小于6.2μm的外周边半径a3,并且所述沟槽具有小于0且等于或大于-0.0012的折射率差Δn4以及大于0且等于或小于32μm的外周边半径a4。
10.如权利要求9所述的超低损耗的光纤,其中所述光纤满足以下条件,1.3μm≤a1≤1.7μm,0.0018≤Δn2≤0.0022,4.0μm≤a2≤4.4μm,5.8μm≤a3≤6.2μm,-0.0012≤Δn4≤-0.0008,以及28μm≤a4≤32μm。
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