[发明专利]超低损耗的光纤无效
申请号: | 201280058007.8 | 申请日: | 2012-11-22 |
公开(公告)号: | CN103959112A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 李永燮;都文显;宋时镐;吴大焕;文大丞;吴庆焕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;延世大学校产学协力团 |
主分类号: | G02B6/028 | 分类号: | G02B6/028 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 损耗 光纤 | ||
技术领域
本发明涉及一种光纤,更具体地,涉及具有超低损耗的光纤。
背景技术
瑞利散射(Rayleigh scattering)是指传播通过光纤的光学信号与光纤中的精细颗粒碰撞并被散射的现象。瑞利散射是光信号的损耗中最大的部分。
传统上,已经采用在构成光纤的芯中减少导致散射的颗粒数的方法,以减少瑞利散射的损耗。在此方法中,例如,减少锗(其是是用于控制折射率的物质)的掺杂量,或者当芯由纯二氧化硅形成时,用于降低折射率的物质被掺杂到包围芯的覆层中。
在减少掺入到芯中的锗的量的情况下,可以减少由瑞利散射引起的光学损耗。然而,存在这样的问题,模场直径(MFD)和零色散波长(zero dispersion wavelength)不能满足传统的G.652.D光纤标准。
此外,在光纤具有纯二氧化硅芯和掺杂有用于降低折射率的物质的覆层的情况下,在制造光纤的母材料的工艺期间,由于纯二氧化硅芯而难以进行烧结,并且增大母材料的直径受到限制。因此,因为从母材料拉制光纤的流量很低,所以存在不适合批量生产光纤的问题。
发明内容
技术问题
本发明的特定实施例的目标是至少部分地解决、减少或去除与传统技术相关的问题和/或缺点中的至少一个。
本发明的一个方面是提供具有超低光学损耗的光纤,其满足G.652.D光纤标准。
解决问题的手段
根据本发明一个方面的超低损耗光纤包括:芯,设置在光纤的中心部分处并在光纤中具有最大的折射率;沟槽(trench),围绕该芯且在光纤中具有最小的折射率;以及覆层,围绕该沟槽,其中该芯包括:第一子芯层,位于光纤的中间部分处并在该光纤中具有最大的折射率;第二子芯层,围绕第一子芯层,并具有低于第一子芯层的折射率;以及第三子芯层,围绕第二子芯层并具有低于第二子芯层的折射率。
根据本发明另一个方面的超低损耗光纤包括:芯,设置在光纤的中心部分处并在光纤中具有最大的折射率;沟槽,围绕该芯且在该光纤中具有最小的折射率;以及覆层,围绕该沟槽,其中该芯包括:第一子芯层,位于光纤的中间部分处,并在光纤中具有小于最大折射率的折射率;第二子芯层,围绕第一子芯层,并在光纤中具有最大折射率;以及第三子芯层,围绕第二子芯层,并具有低于第二子芯层的折射率。
有益效果
根据本发明的光纤具有以下优点:满足传统G.652.D光纤标准,光学损耗降低超过10%,并适于批量制造。
附图说明
图1是示出根据本发明优选实施例的光纤的示意图;以及
图2是示出根据本发明另一个优选实施例的光纤的示意图。
具体实施方式
在下文,将参照附图详细描述本发明的实施例。在本发明的下面描述中,这里结合的已知功能和构造的具体描述当其可能使本发明的主题不清楚时将被省略。
图1是示出根据本发明优选实施例的光纤的示意图。图1(a)是示出光纤100的截面图,图1(b)是示出根据光纤截面的折射率的轮廓的图形。
参照图1,光纤100包括:具有三层结构的芯110,位于光纤的中心部分处;围绕芯110的沟槽120;以及围绕沟槽120的覆层130。光学信号通过全内反射传播到芯110中。
芯110包括位于光纤100的中心部分的第一子芯层112以及顺序层叠在第一子芯层112的外周边表面上的第二和第三子芯层114和116。第一子芯层112具有圆形截面的杆状,并且第二和第三子芯层114和116具有环形截面的管状。第一、第二和第三子芯层112、114和116布置成同心结构。
第一子芯层112设置在光纤100的中心部分处,并在光纤100中具有最大折射率。第一子芯层112整个可以具有不变的折射率。第一子芯层112可以具有等于或小于0.0039的折射率差Δn1以及等于或小于2.7μm的外周边半径a1。优选地,第一子芯层112可以具有0.0035~0.0039的折射率差Δn1以及2.3~2.7μm的外边缘半径a1。构成光纤100的每个层的折射率差可以由每层的折射率和位于光纤100的最外周边的覆层130的折射率差限定。
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