[发明专利]阻气膜和阻气膜的制造方法

权利要求书

1.一种阻气膜，其特征在于，是在基材上具备阻气层的阻气膜，所述阻气层是向聚硅氮烷层注入离子而形成的，将阻气层的与基材相接的面设为基材侧，将其相反的面设为表面侧时，

所述阻气层从表面侧向基材侧具有折射率不同的第1区域和第2区域，

所述第1区域中的折射率为1.50～1.68的范围内的值，并且，所述第2区域中的折射率为1.40以上且小于1.50的范围内的值。

2.根据权利要求1所述的阻气膜，其特征在于，所述第1区域中的膜密度为2.3～3.0g/cm³的范围内的值。

3.根据权利要求1或2所述的阻气膜，其特征在于，所述第1区域的厚度为10～30nm的范围内的值。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的阻气膜，其特征在于，在所述第1区域中，将由XPS测定的氧量设为Xmol％、氮量设为Ymol％、硅量设为Zmol％时，X/Z为1.0～2.5的范围内的值，Y/Z为0～0.5的范围内的值。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的阻气膜，其特征在于，在所述第1区域中，将由XPS测定的氧量设为Xmol％、硅量设为Zmol％时，X/Z的变化曲线具有极小点。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的阻气膜，其特征在于，所述阻气膜的总光线透射率Tt为88％以上的值，黄色度YI为4以下的值。

7.一种阻气膜的制造方法，其特征在于，是在基材上具备阻气层的阻气膜的制造方法，包括下述工序(1)～(3)，

(1)聚硅氮烷层形成工序，在所述基材上形成聚硅氮烷层，

(2)风干工序，进行所述聚硅氮烷层的风干，

(3)离子注入工序，对所述聚硅氮烷层注入离子，形成从表面侧向基材侧具有第1区域和第2区域的阻气层，所述第1区域的折射率为1.50～1.68的范围内的值，所述第2区域的折射率为1.40以上且小于1.50的范围内的值。

8.根据权利要求7所述的阻气膜的制造方法，其特征在于，将所述风干工序后且所述离子注入工序前的所述聚硅氮烷层的折射率设为1.48～1.63的范围内的值。