[发明专利]阻气膜和阻气膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及阻气膜和阻气膜的制造方法。特别涉及具有优异的阻气性的同时具有极优异的透明性、且抑制了着色的阻气膜和这种阻气膜的制造方法。

背景技术

以往，为了成为有机EL元件用的玻璃基板的代替品，提出了以具有优异的阻气性、并且制造时间短为特征的阻气膜的制造方法等(例如，参照专利文献1)。

更具体而言，专利文献1中记载的阻气膜的制造方法，其特征在于，对在基材上的至少一面涂布含有全氢聚硅氮烷的液体并对其进行加热干燥而成的聚硅氮烷膜实施常压等离子体处理或者真空等离子体处理，形成作为水蒸气阻隔性的指标的水蒸气透过率(WVTR)为1g/(m²·日)以下且厚度0.01～5μm的阻气膜。

另外，为了应用于有机光电转换元件用的树脂基材，提出了具备有极高阻气性的硅氧化物薄膜的阻气膜的制造方法(例如，参照专利文献2)。

更具体而言，专利文献2中记载的阻气膜的制造方法，其特征在于，在基材上的至少一面涂布含有硅的液体，在20～120℃干燥形成硅薄膜后，通过使用了含有机硅化合物和氧的反应性气体的等离子体CVD法在硅薄膜上形成硅氧化物薄膜。

另外，提出了具备阻气性不降低且透明性优异的含碳的氧化硅膜的阻气膜(例如，参照专利文献3)。

更具体而言，专利文献3中记载的阻气膜，其特征在于，在基材膜上的至少一面形成膜厚为5～300nm的含碳的氧化硅膜，含碳的氧化硅膜的碳原子(C)与硅原子(Si)的组成比(C/Si)为超过0且1以下的范围，且着色度(YI)为1.0～5.0的范围。

并且，为了提供透射率和色调优异的阻气膜，提出了具备硅含量、氧含量以及氮含量不同的区域A、B、C的阻气膜及其制造方法(例如，参照专利文献4)。

更具体而言，专利文献4中记载的阻气膜包含氧含量比氮含量多的区域A和氮含量比氧含量多的区域B，且在该区域A和区域B之间包含区域C，在该区域C中，区域A的氧含量逐渐减少，并且氮含量向区域B逐渐增加。该阻气膜是在基材膜上朝向表面按区域ACB、区域BCA、或者区域ACBCA的顺序配置各区域而成的。

专利文献1：日本特开2007-237588号公报

专利文献2：日本特开2011-26645号公报

专利文献3：日本特开2010-158832号公报

专利文献4：日本特开2009-196155号公报

发明内容

然而，专利文献1中公开的阻气膜的制造方法虽然对聚硅氮烷膜进行常压等离子体处理或者真空等离子体处理，但对等离子体处理后的阻隔层没有任何考虑，因此发现阻气性仍然较低、或者阻气性波动等问题。

另外，专利文献2中公开的阻气膜的制造方法必须利用等离子体CVD法在规定的硅薄膜(聚硅氮烷膜等)上形成更多种类的硅氧化物薄膜。

因此，发现阻气膜的薄膜化、连续制膜变得困难，或者作为基底的硅薄膜与利用等离子体CVD法形成的硅氧化物薄膜之间的密合性不足的问题。

另外，对于专利文献3中公开的阻气膜的制造方法，发现得到的阻气膜的阻气性仍然较低，或者阻气性波动，进而耐久性等不足的问题。

另外，专利文献4中公开的阻气膜及其制造方法由于在多层结构的一部分中含有氮量比氧量多的区域B，所以发现得到的阻气膜着色(泛黄)，或者透明性降低，进而阻气性仍然不充分的问题。

而且，也发现由于反复多个成膜步骤来形成各区域A～C，所以制造工序复杂，生产率差的问题。

因此，本发明的发明人等经过深入研究，结果发现对于在基材上具备阻气层的阻气膜而言，通过该阻气层具有折射率不同的区域，能够得到具有优异的阻气性的同时具有极优异的透明性、且抑制了着色的阻气膜，从而完成了本发明。

即，本发明的目的在于提供具有优异的阻气性的同时具有极优异的透明性、且抑制了着色(泛黄)的阻气膜和有效率地得到这种阻气膜的阻气膜的制造方法。

根据本发明，可以提供一种阻气膜，其特征在于，是在基材上具备阻气层的阻气膜，所述阻气层是向聚硅氮烷层注入离子而形成的，将阻气层的与基材相接的面设为基材侧，将其相反的面设为表面侧时，阻气层从表面侧向基材侧具有折射率不同的第1区域和第2区域，第1区域中的折射率为1.50～1.68的范围内的值，第2区域中的折射率为1.40以上且小于1.50的范围内的值，从而解决上述问题。

即，阻气层通过具有折射率为规定范围的较高的第1区域和折射率为规定范围的较低的第2区域，从而能够具有优异的阻气性，并且得到极优异的透明性。