[发明专利]粘合片及使用粘合片的电子元件的制造方法有效
申请号: | 201280058909.1 | 申请日: | 2012-11-27 |
公开(公告)号: | CN103959444B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 齐藤岳史;津久井友也 | 申请(专利权)人: | 电化株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;C09J7/02;C09J11/06;C09J133/04;C09J175/04 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 杨黎峰;石磊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘合 使用 电子元件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及粘合片及使用该粘合片的电子元件的制造方法。
背景技術
通常,半导体晶圆在形成电路后贴合粘合片,然后切断(切割)成元件小片,经清洗、干燥、粘合片的延伸(扩张)、从粘合片的元件小片的剥离(拾取)、安装等各工序。作为在这些工序中所使用的切割用和/或输送用的粘合片,专利文献1中记载了在基材上使用聚氯乙烯的示例。
此外,专利文献2中,作为粘合剂组合物公开了使用(甲基)丙烯酸酯共聚物的组合物,专利文献3则公开了将离聚物树脂使用于基材层的粘合片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平6-61346号公报
专利文献2:日本特开2001-89731号公报
专利文献3:日本特开2007-31535号公报
发明内容
发明所要解决的问题
现有的聚氯乙烯作为基材的粘合片存在如下问题:即,可塑剂会经时地从基材向粘合剂层移动,在拾取工序中芯片的拾取性会出现问题。
此外,将粘合片使用于晶圆及封装基板的被粘物的切割时,有将粘合片贴合在被粘物之后加热至75℃左右再进行切割,以及不加热直接进行切割两种情形。加热是在被粘物与粘合片之间的粘着性不佳时,为了提高被粘物与粘合片的粘着性,以防止晶片飞散而进行的工序。但进行加热后,切割后的晶片的拾取性可能会恶化。如果将粘合剂的组成调整为即使进行加热也不会使切割后的晶片的拾取性恶化的程度,则可能会发生未进行加热时的粘着性恶化。由于存在上述不足,因此,现有的粘合片难以兼用到无加热的生产线以及有加热的生产线上,只能分别使用专门为了无加热或有加热而设计的不同粘合片。
本发明鉴于上述情况,提供在拾取工序中的晶片的拾取性不会产生经时劣化,且可使用于切割前有加热工序和无加热工序的两种生产线上的粘合片,以及使用上述粘合片的电子元件的制造方法。
解决问题的技术手段
根据本发明,提供一种粘合片,其具有在含有聚氯乙烯及聚酯类可塑剂的基材膜上形成的由粘合剂组合物所成的粘合剂层其中上述粘合剂组合物含有100质量份的(甲基)丙烯酸酯共聚物,与0.1~7质量份的异氰酸酯类固化剂,上述(甲基)丙烯酸酯共聚物含有35~85质量%的(甲基)丙烯酸甲酯单元,10~60质量%的丙烯酸2-乙基己酯单元,0.5~10质量%的具有羧基的单体单元,及0.01~5质量%的具有羟基的单体单元,相对于100质量份的上述(甲基)丙烯酸酯共聚物成分,上述粘合剂组合物的环氧树脂类固化剂的含量为0~0.25质量份。
此外,根据本发明,提供一种粘合片,其具有在利用金属离子将具有乙烯单元、甲基丙烯酸单元以及(甲基)丙烯酸烷基酯单元的共聚物交联的离聚物树脂所形成的基板膜上形成的由粘合剂组合物所成的粘合剂层,其中上述粘合剂组合物含有100质量份的(甲基)丙烯酸酯共聚物,与0.1~7质量份的异氰酸酯类固化剂,上述(甲基)丙烯酸酯共聚物含有35~85质量%的(甲基)丙烯酸甲酯单元,10~60质量%的丙烯酸2-乙基己酯单元,0.5~10质量%的具有羧基的单体单元,及0.01~5质量%的具有羟基的单体单元,相对于100质量份的上述(甲基)丙烯酸酯共聚物成分,上述粘合剂组合物的环氧树脂类固化剂的含量为0~0.25质量份。
本发明的发明人为了解决晶片的拾取性经时劣化的问题而精心研究,结果发现作为粘合剂组合物将(甲基)丙烯酸酯共聚物用作基底树脂,并且作为可塑剂使用聚酯类可塑剂,则可防止晶片的拾取性经时劣化的问题。
并且,为了开发可同时使用于无加热工序的生产线及有加热工序的生产线的粘合片进行了研究,结果发现将上述组成的(甲基)丙烯酸酯共聚物用于基底树脂,使其含有上述含量的异氰酸酯类固化剂,且将环氧树脂类固化剂的含量限制在上述范围内的情况下,无论是否加热,都可拥有良好的晶片保持性及拾取性,于是完成了本发明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造