[发明专利]半导体装置制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置制造方法，该方法用于制造在半导体基板上安装具有多个突起状电极的半导体芯片而构成的半导体装置，其特征在于，包括：

第一工序，该第一工序中，在所述半导体芯片的所述多个突起状电极经由多个焊料部与形成在所述半导体基板上的多个电极相抵接的状态下，使所述多个焊料部熔融，形成与所述半导体芯片的所述多个突起状电极以及所述半导体基板的所述多个电极相接合的多个焊料接合部；

第二工序，该第二工序中，使所述半导体芯片的一部分与所述半导体基板之间的间隔大于所述半导体芯片的其它部分与所述半导体基板之间的间隔，将所述多个焊料接合部中的至少一部分焊料接合部拉伸，使所述多个焊料接合部的高度产生偏差；

第三工序，该第三工序中，在所述多个焊料接合部中的、至少高度成为最大的焊料接合部内形成空孔；以及

第四工序，该第四工序中，使所述多个焊料接合部凝固，从而使所述半导体芯片的所述多个突起状电极与所述半导体基板的所述多个电极电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其特征在于，在所述第二工序中，至少在高度成为最大的焊料接合部中形成截面积变小的收缩部。

3.如权利要求2所述的半导体装置制造方法，其特征在于，在所述第二工序中，在所述半导体芯片上形成相对于所述半导体基板倾斜的部分。

4.如权利要求3所述的半导体装置制造方法，其特征在于，在所述第三工序中，使所述多个焊料接合部再次熔融，从而形成所述空孔。

5.如权利要求1至4的任一项所述的半导体装置制造方法，其特征在于，在所述第一工序之前，分别在所述半导体基板的所述多个电极上形成凹部，

在所述第二工序中，至少在高度成为最大的焊料接合部内形成空孔。

6.如权利要求1至4的任一项所述的半导体装置制造方法，其特征在于，在所述第一工序之前，在形成于所述半导体基板上的多个电极端子上分别形成具有圆弧状角部的突起状电极，从而形成所述半导体基板的所述多个电极，

在所述第二工序中，至少在高度成为最大的焊料接合部内形成空孔。

7.一种半导体装置，由在半导体基板上安装具有多个突起状电极的半导体芯片而构成，其特征在于，

包括多个焊料接合部，该多个焊料接合部使所述半导体芯片的所述多个突起状电极与形成在所述半导体基板上的多个电极电连接，所述多个焊料接合部的高度存在偏差，至少在高度为最大的焊料接合部内形成有空孔。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述多个焊料接合部包含至少两个空孔比例互不相同的焊料接合部。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，至少高度为最大的焊料接合部具有截面积变小的收缩部。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片具有相对于所述半导体基板倾斜的部分。

11.如权利要求7至10的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板的所述多个电极上分别形成有凹部。

12.如权利要求7至10的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板的所述多个电极分别包含具有圆弧状角部的突起状电极。

13.如权利要求7至10的任一项所述的半导体装置，其特征在于，设置在所述半导体芯片外周部的焊料接合部内的空孔比例大于设置在较所述外周部更靠内侧的所述半导体芯片内周部的焊料接合部内的空孔比例。