[发明专利]高活性大晶体ZSM-5的合成

权利要求书

1.一种在模板不存在下制备高活性、大晶体ZSM-5型沸石的方法，所述方法包括：

(a)制备如下的反应混合物，其包含水、表面积小于150m²/g的二氧化硅源、氧化铝源、晶种、碱金属氧化物源M和葡萄糖酸或其盐源Q，其中所述混合物具有小于或等于40的SiO₂/Al₂O₃摩尔比；

(b)在约100℃到200℃的结晶温度下将所述反应混合物加热足以形成ZSM-5的晶体的时间；和

(c)从所述反应混合物回收SiO₂/Al₂O₃摩尔比小于或等于40的ZSM-5的晶体，其中所述晶体的大部分具有至少一个至少约2μm的结晶尺寸。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅源具有小于125m²/g的比表面积。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述反应混合物具有以下量的摩尔组成：

4.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的方法，其中所述反应混合物具有约15/1到约40/1的SiO₂/Al₂O₃摩尔比。

5.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的方法，其中加热步骤(b)进行约2小时到约100小时的时间。

6.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的方法，其中所述反应混合物含有来自之前合成的ZSM-5晶种。

7.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的方法，其中所述反应混合物具有在25℃小于1000cP的粘度。

8.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的方法，其中步骤(c)中回收的所述ZSM-5具有小于或等于35的SiO₂/Al₂O₃摩尔比。

9.通过根据权利要求1-8中的任一权利要求所述的方法生产的ZSM-5。

10.一种将甲苯选择性地歧化成对二甲苯的方法，所述方法包括使甲苯进料在转化条件下与通过根据权利要求1-8中的任一权利要求所述的方法生产的活性和硅选择化形式的ZSM-5接触。