[发明专利]光致抗蚀剂组合物

说明书

本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物，更为详细地讲，涉及包括在基板的氮化硅膜(SiNx)上形成半色调(halftone)的工序的基板微细图案形成用光致抗蚀剂组合物。本发明的光致抗蚀剂组合物，其常温稳定性优良、变色少且透射率优良，从而即便省略HMDS工序，也不存在经微细化的图案在执行显影工序时产生遗失，或者在执行后工序时产生图案变形的危险。

技术领域

本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物(PHOTORESIST COMPOSITION)，更为详细地讲，涉及包括在基板的氮化硅膜(SiNx)上形成半色调(halftone)的工序的基板微细图案形成用光致抗蚀剂组合物及使用了该光致抗蚀剂组合物的微细图案形成方法，其中，该光致抗蚀剂组合物常温稳定性优良、变色少且透射率优良，从而即便省略HMDS工序，也不存在经微细化的图案在执行显影工序时产生遗失，或者在执行后工序时产生图案变形的危险。

背景技术

通常，在半导体或平板显示装置上，为了形成绝缘膜或保护膜而使用光致抗蚀剂组合物，光致抗蚀剂组合物为了提高与基板的粘结力而含有三聚氰胺类交联剂或硅烷类交联剂。

但在使用含有三聚氰胺类交联剂或硅烷类交联剂的光致抗蚀剂组合物而形成微细图案时，由于光致抗蚀剂的粘结力降低，因而必须通过HMDS(hexamethyldisilazane，六甲基二硅氮烷)喷雾工序来确保粘结力。这是由于在不进行HMDS喷雾工序时，经微细化的图案有可能在执行显影工序时产生遗失，或者在执行后工序时图案变形之故。

为了解决上述问题，在韩国公开专利公报第10-2009-39930号中记载了一种光致抗蚀剂组合物，其含有5～50重量％的有机高分子、10～30重量％的感光性物质、3～5重量％的在末端含有异氰酸酯基的硅烷类偶联剂、以及剩余量的溶剂，而能够省略HMDS喷雾工序。但上述申请也是常温时稳定性降低、所形成图案的颜色产生变化且透射率降低，要在氮化硅膜上形成含有半色调工序的0.1～10μm的微细图案时，有在半色调部分与氮化硅膜的紧贴性不良的问题。

发明内容

技术课题

考虑到如上所述的现有技术的问题，本发明的目的在于提供一种基板的微细图案形成用光致抗蚀剂组合物，其包括在基板的氮化硅膜(SiNx)上形成半色调(halftone)的工序，上述光致抗蚀剂组合物能够彻底减少执行工序时由于HMDS所产生的HMDS气体性气泡及微粒性不良，能够降低工序费用而节省面板的制造费用，而且常温稳定性优良、变色少且透射率优良，并且与氮化硅膜的粘结力优良，从而即便省略HMDS工序，也不会存在经微细化的图案在执行显影工序时产生遗失，或者在执行后工序时产生图案变形的危险。

本发明的另一目的在于提供一种包括使用上述光致抗蚀剂而在基板的氮化硅膜(SiNx)上形成半色调的工序的微细图案形成方法。

本发明的其他目的在于提供一种具有通过上述本发明而得到的微细电路图案的电子器件。

解决问题的方案

为了达到上述目的，本发明提供一种光致抗蚀剂组合物，其特征在于，含有：(a)丙烯酸类共聚物10～30重量％，该丙烯酸类共聚物将i)不饱和羧酸或其酐、ii)含环氧基的不饱和化合物、以及iii)烯烃类不饱和化合物作为单体进行聚合而制造且重量平均分子量为4,000～9,000；(b)在末端基含有异氰酸酯基(-NCO)的硅烷偶联剂0.1～2重量％；(c)感光剂1～15重量％，以及(d)剩余量的溶剂。

而且，本发明提供一种基板的微细图案形成方法，其包括利用光致抗蚀剂组合物而在基板的氮化硅膜上形成半色调的工序，上述基板的微细图案形成方法，其特征在于，使用上述光致抗蚀剂组合物。

而且，本发明提供一种电子器件，其包括具有通过上述制造方法而得到的微细电路图案的基板。

发明效果