[发明专利]用于场效晶体管的自对准栅极结构

权利要求书

1.一种用于制造场效晶体管的方法，其包含：

提供堆叠，所述堆叠包含衬底及沉积在所述衬底上的外延层、在所述外延层的顶部上的多层绝缘层，及在所述绝缘层的顶部上的第一栅极层；

图案化所述堆叠以提供直到所述多层绝缘层的最低层的开口；

植入基极区；

沉积第二栅极层，所述第二栅极层覆盖所述开口及所述第一栅极层；

执行直到所述多层绝缘层的所述最低层的蚀刻，使得所述开口的各侧上的间隔件保留并且形成所述场效晶体管的相应栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多层绝缘层包含：在所述衬底的顶部上的第一氧化物层；在所述第一氧化物层的顶部上的氮化物层；在所述氮化物层的顶部上的第二氧化物层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一层是栅极氧化物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多层绝缘层的各层具有不同厚度。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述栅极氧化物层具有约的厚度，所述氮化物层具有约的厚度，所述厚氧化物层具有约的厚度，且所述第一多晶硅层具有约的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二多晶硅层具有约的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在邻近开口中的两个邻近栅极结构通过所述第一多晶硅层桥接。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述基极区内形成自对准源极区的步骤。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述多层绝缘层的厚度经选择使得所述第一多晶硅层与漏极区之间的电容被最小化。

10.一种场效晶体管，其包含：

衬底，其包含外延层；

若干基极区，其从所述外延层的顶部延伸到所述外延层中；

绝缘区，其具有若干侧壁且在所述衬底的顶部上的两个基极区之间延伸；

多晶硅栅极结构，其覆盖包括所述侧壁的所述绝缘区，其中有效栅极由在所述基极区上面覆盖侧壁的所述多晶硅的一部分形成。

11.根据权利要求10所述的场效晶体管，其中所述绝缘区包含多层绝缘结构，所述多层绝缘结构包含：在所述外延层的顶部上的第一氧化物层，在所述第一氧化物层的顶部上的氮化物层，在所述氮化物层的顶部上的第二氧化物层。

12.根据权利要求10所述的场效晶体管，其中所述多晶硅栅极结构包含第一多晶硅层及第二多晶硅层，其中所述第一多晶硅层覆盖所述绝缘区，且所述第二层包括覆盖所述侧壁且形成所述有效栅极的间隔件。

13.根据权利要求11所述的场效晶体管，其中所述第一层是栅极氧化物。

14.根据权利要求11所述的场效晶体管，其中所述多层绝缘结构的各层具有不同厚度。

15.根据权利要求13所述的场效晶体管，其中所述栅极氧化物层具有约的厚度，所述氮化物层具有约的厚度，所述厚氧化物层具有约的厚度，且所述第一多晶硅层具有约的厚度。

16.根据权利要求12所述的场效晶体管，其中所述第二多晶硅层具有约的厚度。

17.根据权利要求10所述的场效晶体管，其中在邻近开口中的两个邻近栅极结构是通过多晶硅层桥接。

18.根据权利要求10所述的场效晶体管，其进一步包含所述基极区内的自对准源极区。

19.根据权利要求12所述的场效晶体管，其中所述多层绝缘结构的厚度经选择使得所述第一多晶硅层与漏极区之间的电容被最小化。

20.根据权利要求10所述的场效晶体管，其中在所述绝缘区下面形成有漏极区。