[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，是在支持基板上依次具备包含金属的反射层、和依次包含活性层和接触层的化合物半导体层，从光射出孔向外部射出光的发光二极管，其特征在于，

在其上部具备平坦部和具有倾斜侧面及顶面的台面型结构部，

所述平坦部和所述台面型结构部，分别至少一部分被保护膜、电极膜依次覆盖，

所述台面型结构部包含至少所述活性层的一部分，所述倾斜侧面采用湿式蚀刻形成，并且水平方向的截面积朝向所述顶面连续变小地形成，

所述保护膜覆盖所述平坦部的至少一部分、所述台面型结构部的所述倾斜侧面、和所述台面型结构部的所述顶面的周缘区域，并且具有配置在俯视为所述周缘区域的内侧且所述光射出孔的周围而使所述化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，

所述电极膜是被形成为与从所述通电窗露出来的化合物半导体层的表面接触、并且至少覆盖在所述平坦部上形成的保护膜的一部分、在所述台面型结构部的顶面上具有所述光射出孔的连续膜，

在所述反射层与所述化合物半导体层之间、且俯视下所述通电窗以及被其包围的范围内具备透明导电膜。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述透明导电膜是ITO、IZO、ZnO中的任一种。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在所述透明导电膜与所述化合物半导体层之间的所述透明导电膜的周缘部、且俯视下与所述光射出孔不重叠的范围，具备由AuBe、AuZn中的任一种形成的欧姆金属部。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述接触层与所述电极膜接触。

5.根据权利要求1～3的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述台面型结构部在俯视下为矩形。

6.根据权利要求1～3的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述台面型结构部的高度为3～7μm，俯视下的所述倾斜侧面的宽度为0.5～7μm。

7.根据权利要求1～3的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述光射出孔在俯视下为圆形或椭圆。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述光射出孔的直径为50～150μm。

9.根据权利要求1～3的任一项所述的发光二极管，其特征在于，在所述电极膜的所述平坦部上的部分具有接合线。

10.根据权利要求1～3的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层所含有的发光层包含多量子阱。

11.根据权利要求1～3的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层所含有的发光层由(Al_X1Ga_1-X1)_Y1In_1-Y1P、(Al_X2Ga_1-X2)As、(In_X3Ga_1-X3)As中的任一种形成，其中，0≤X1≤1，0＜Y1≤1，0≤X2≤1，0≤X3≤1。