[发明专利]发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管及其制造方法。

本申请基于2011年12月19日在日本申请的专利申请2011-277535号要求优先权，在此引用其内容。

背景技术

已知从元件上面的一部分取出在发光层发生的光的点光源型的发光二极管。已知在这种类型的发光二极管中具有用于将发光层的通电区域限制为其面内的一部分的电流狭窄构造(例如专利文献1)。在具有电流狭窄构造的发光二极管中发光区域被限定。由于使光从设置在该区域的正上方的光射出孔射出，因此能够得到较高的光输出，并且能够高效地向光学部件等输入所射出的光。

在点光源型的发光二极管中，已知以下的结构：在与基板平行的方向上为了使发光区域狭窄而将活性层等形成为柱状构造，在该柱状构造的顶面的光取出面具备具有光射出用的开口(光射出孔)的层(例如专利文献2)。

图16示出一种共振器型发光二极管，该发光二极管是在基板131上依次具备下部镜层(mirror layer)132、活性层133、上部镜层134、接触层135的发光二极管，将活性层133、上部镜层134、接触层135形成为柱状构造137，用保护膜138覆盖柱状构造137及其周围，在该保护膜138上形成电极膜139，在柱状构造137的顶面137a(光取出面)上，在电极膜139上形成了光射出用的开口139a。标记140为背面电极。

在先技术文献

专利文献1:日本特开2003-31842号公报

专利文献2:日本特开平9-283862号公报

发明内容

在形成上述柱状构造时，通过各向异性的干式蚀刻来实施成膜活性层等之后的柱状构造以外的部分的除去。因此，如图16所示，柱状构造137的侧面137b相对于基板131垂直或者急倾斜地形成。在该柱状构造的侧面，通过采用蒸镀法、溅射法形成了保护膜以后，通过蒸镀法形成电极用金属(例如Au)膜。但是存在以下问题：在该垂直或者急倾斜的侧面，不容易以一样的膜厚形成保护膜、电极用金属膜，容易变成不连续的膜。在保护膜变为不连续的膜的情况下(图16中的标记A)，电极用金属膜进入到该不连续部分而与活性层等相接触，成为漏电的原因。另外，在电极用金属膜变为不连续的膜的情况下(图16中的标记B)，成为通电不良的原因。

另外，当使用干式蚀刻进行柱状构造以外的部分的除去时，还存在需要高价格的装置，蚀刻时间也花费得很长的问题。

而且，在如图16所示的柱状构造的顶面具有光射出孔的点光源型的发光二极管中，在柱状构造内的整个发光层流过电流。因而，发光层之中光射出孔的正下方以外的部分发出的光的量多，与光射出孔的正下方发出的光相比，光射出孔的正下方以外的部分发出的光向发光二极管的外部射出的概率较低。因而，阻碍了光取出效率的提高。

本发明鉴于上述情况而完成，其目的在于，提供一种发光二极管以及发光二极管的制造方法，该发光二极管是在保护膜及其上所形成的电极膜以均匀的膜厚形成、并且光取出效率高的发光二极管，该发光二极管的制造方法降低漏电、通电不良从而提高成品率，并且能够用比以往低的成本来制造。

本发明提供以下方案。

(1)一种发光二极管，在支持基板上依次具备包含金属的反射层、和依次包含活性层和接触层的化合物半导体层，从光射出孔向外部射出光，所述发光二极管的特征在于，在其上部具备平坦部和具有倾斜侧面及顶面的台面型结构部，所述平坦部和所述台面型结构部，分别至少一部分被保护膜、电极膜依次覆盖，所述台面型结构部包含至少所述活性层的一部分，所述倾斜侧面采用湿式蚀刻形成，并且水平方向的截面积朝向所述顶面连续变小地形成，所述保护膜覆盖所述平坦部的至少一部分、所述台面型结构部的所述倾斜侧面、和所述台面型结构部的所述顶面的周缘区域，并且具有配置在俯视为所述周缘区域的内侧且所述光射出孔的周围而使所述化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，所述电极膜是被形成为与从所述通电窗露出来的化合物半导体层的表面接触、并且至少覆盖在所述平坦部上形成的保护膜的一部分、在所述台面型结构部的顶面上具有所述光射出孔的连续膜，在所述反射层与所述化合物半导体层之间、且俯视下所述通电窗以及被其包围的范围内具备透明导电膜。

(2)根据(1)所述的发光二极管，其特征在于，所述透明导电膜是ITO、IZO、ZnO中的任一种。

(3)根据(1)或(2)所述的发光二极管，其特征在于，在所述透明导电膜与所述化合物半导体层之间的所述透明导电膜的周缘部、且俯视下与所述光射出孔不重叠的范围，具备由AuBe、AuZn中的任一种形成的欧姆金属部。