[发明专利]用于光伏器件的混合型接触件和光伏器件的形成方法

权利要求书

1.一种用于光伏器件的接触件，所述接触件包括：

光伏器件的透明导电氧化物堆叠件，其中，透明导电氧化物堆叠件的第一部分通过常压化学气相沉积形成，透明导电氧化物堆叠件的第二部分通过物理气相沉积形成。

2.如权利要求1所述的接触件，其中，透明导电氧化物堆叠件包括阻挡层、透明导电氧化物层和缓冲层。

3.如权利要求2所述的接触件，其中，阻挡层通过常压化学气相沉积形成，透明导电氧化物层和缓冲层通过物理气相沉积形成。

4.如权利要求1所述的接触件，其中，接触件是光伏器件的前接触件。

5.如权利要求2所述的接触件，其中，缓冲层包括SiO₂。

6.如权利要求2所述的接触件，其中，透明导电氧化物层是从由F-SnO₂、Cd₂SnO₄、ITO、CIO和ZAO组成的组中选择的。

7.如权利要求2所述的接触件，其中，缓冲层是从由SnO₂、ZnO、In₂O₃和ZnSn_xO_y组成的组中选择的。

8.如权利要求2所述的接触件，其中，缓冲层具有大约5nm至大约50nm的表面粗糙度均值。

9.如权利要求2所述的接触件，其中，阻挡层包括形成在具有大约2.0至大约2.4的折射率的第二材料上方的具有大约1.45至大约1.50的折射率的第一材料。

10.如权利要求9所述的接触件，其中，阻挡层的第一材料是从由SiO₂、SiAl_xO_y和Al₂O₃组成的组中选择的。

11.如权利要求9所述的接触件，其中，阻挡层的第二材料是从由SiN_x、SnO₂、TiO₂、Ta₂O₅和Nb₂O₅组成的组中选择的。

12.如权利要求1所述的接触件，所述接触件还包括通过物理气相沉积形成在透明导电氧化物堆叠件的第一部分上方的粘结层。

13.如权利要求12所述的接触件，其中，粘结层是从由SiO₂和SiAl_xO_y组成的组中选择的。

14.如权利要求9所述的接触件，所述接触件还包括通过物理气相沉积形成在阻挡层上方的粘结层。

15.如权利要求14所述的接触件，其中，粘结层是从由SiO₂和SiAl_xO_y组成的组中选择的。

16.如权利要求2所述的接触件，其中，阻挡层具有大约至大约的厚度。

17.如权利要求9所述的接触件，其中，阻挡层的第一材料具有大约至大约的厚度，阻挡层的第二材料具有大约至大约的厚度。

18.如权利要求2所述的接触件，其中，透明导电氧化物层具有大约至大约的厚度。

19.如权利要求2所述的接触件，其中，缓冲层具有大约至大约的厚度。

20.如权利要求12所述的接触件，其中，粘结层具有大约至大约的厚度。

21.如权利要求9所述的接触件，所述接触件还包括位于阻挡层下方的从由SiO₂、SiAl_xO_y和Al₂O₃组成的组中选择的APCVD沉积的材料。