[发明专利]用于光伏器件的混合型接触件和光伏器件的形成方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及光伏器件的领域，更具体地说，涉及一种设置在光伏器件中的电气接触件及其制造方法。

背景技术

光伏器件通过光伏效应将太阳光的能量直接转换成电能。光伏器件可以是例如以晶硅电池或薄膜电池为例的光伏电池。光伏模块可以包括多个光伏电池或光伏器件。光伏器件可以包括设置在基底(或覆盖物)上的多个层。例如，光伏器件可以包括在基底上以堆叠件形式形成的透明导电氧化物(TCO)层、缓冲层和多个半导体层。半导体层可以包括形成在缓冲层上的诸如硫化镉层的半导体窗口层和形成在半导体窗口层上的诸如碲化镉层的半导体吸收层。此外，每个层可以覆盖器件的全部或一部分以及/或者位于该层下面的基底或层的全部或一部分。例如，“层”可以包括接触表面的全部或一部分的任意量的任意材料。

图1是通常顺序地设置在玻璃基底110(例如，钠钙玻璃)上的光伏器件10的一部分的剖视图。多层透明导电氧化物(TCO)堆叠件150可以用作薄膜光伏器件的n型前接触件(front contact)。TCO堆叠件150具有包括阻挡层120、TCO层130和缓冲层140在内的若干个功能层。前接触件可以密切地影响诸如视觉质量、转换效率、稳定性和可靠性的各种器件特性。作为半导体层的窗口层160形成在前接触件150上方。同样作为半导体层的吸收层170形成在窗口层160上方。例如，窗口层160和吸收层170可以包括诸如第Ⅱ-VI族或第Ⅲ-Ⅴ族半导体的二元半导体，例如，ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgO、MgS、MgSe、MgTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InS、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb或它们的混合物。窗口层和吸收层的示例可以分别是Cds层和CdTe层。背接触件180形成在吸收层170上方。背接触件180也可以是与前接触件150相似的多层堆叠件。同样可以为玻璃的背支持部190形成在背接触件180上方。

薄膜电池可以具有两种一般类型的前接触件或背接触件。第一种类型的接触件是完全通过常压化学气相沉积(APCVD)涂覆的氟掺杂的二氧化锡基(F-SnO₂)堆叠件，其中，阻挡层、TCO层和缓冲层全部通过APCVD形成。堆叠件中的TCO层是氟掺杂的SnO₂层。第二种类型的接触件是完全溅射的物理气相沉积(PVD)TCO堆叠件，其中，TCO层是以诸如锡酸镉(Cd₂SnO₄)、氧化铟锡(ITO)和铝掺杂的氧化锌(ZAO)的材料为基础的。在完全溅射的PVD TCO堆叠件中，阻挡层、TCO层和缓冲层全部通过PVD形成。这些层中的每个都具有正性和负性。

期望光伏器件具有缓解与完全通过APCVD涂覆的器件和完全溅射的PVD器件中的每一种的TCO堆叠件相关的缺陷的前接触件。

附图说明

图1是光伏器件的一部分的剖视图。

图2是根据公开的实施例的光伏器件的一部分的剖视图。

图3是根据图2的公开的实施例的光伏器件的一部分的剖视图。

图4是根据另一公开的实施例的光伏器件的一部分的剖视图。

图5是根据图4的公开的实施例的光伏器件的一部分的剖视图。

图6是根据另一公开的实施例的光伏器件的一部分的剖视图。

图7是根据图6的公开的实施例的光伏器件的一部分的剖视图。

图8是根据另一公开的实施例的光伏器件的一部分的剖视图。

图9是根据图8的公开的实施例的光伏器件的一部分的剖视图。

图10是根据另一公开的实施例的光伏器件的一部分的剖视图。

图11是根据图10的公开的实施例的光伏器件的一部分的剖视图。

图12是根据另一公开的实施例的光伏器件的一部分的剖视图。

图13是根据图12的公开的实施例的光伏器件的一部分的剖视图。

具体实施方式

在下面的详细描述中，参考构成具体实施方式的一部分的附图，在附图中通过示出可以被实践的具体实施例的方式来示出。应该理解的是，在整个附图中，同样的附图标记表示同样的元件。足够详细地描述实施例，使得本领域技术人员能够制造和使用它们，将理解的是，对公开的具体实施例可以进行结构、材料、电气和程序上的改变，下面仅详细地讨论它们中的一些。