[发明专利]用于显示装置的倾斜小面

说明书

技术领域

本发明涉及形成机电系统装置的组件的方法及借此形成的组件。

背景技术

机电系统包含具有电及机械元件、致动器、换能器、传感器、光学组件(例如，镜)及电子器件的装置。可以多种尺寸制造机电系统，包含但不限于微米尺寸及纳米尺寸。举例来说，微机电系统(MEMS)装置可包含具有介于从约一微米到数百微米或更大的范围内的大小的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包含具有小于一微米的大小(举例来说，包含小于数百纳米的大小)的结构。可使用沉积、蚀刻、光刻及/或蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的部分或添加层以形成电装置及机电装置的其它微机械加工工艺形成机电元件。

一种类型的机电系统装置称作干涉式调制器(IMOD)。如本文中所用，术语干涉式调制器或干涉式光调制器是指使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在一些实施方案中，干涉式调制器可包含一对导电板，所述对导电板中的一者或两者可为全部或部分透明的及/或反射的且能够在施加适当电信号时相对运动。在实施方案中，一个板可包含沉积于衬底上的固定层且另一板可包含通过气隙与所述固定层分离的反射膜。一个板相对于另一板的位置可改变入射于干涉式调制器上的光的光学干涉。干涉式调制器装置具有广泛的应用，且预期用于改进现有产品及形成新产品，尤其是具有显示能力的那些产品。

发明内容

本发明的系统、方法及装置各自具有数个创新性方面，所述方面中的单个方面均不单独地决定本文中所揭示的所要属性。

本发明中所描述的标的物的一个创新性方面可实施于一种设备中，所述设备包含具有形成于衬底的第一表面中的多个凹痕的柔性衬底及至少部分位于所述凹痕内的反射小面，其中所述反射小面包含位于所述小面的面向所述凹痕的侧上的反射表面及安置于所述衬底的相对侧上的小面掩蔽结构，其中所述小面掩蔽结构的反射性小于所述反射表面。

所述小面掩蔽结构可包含光致抗蚀剂层或干涉式黑色掩模。另外，所述设备可包含位于所述柔性衬底上的多个经掩蔽导线，其中所述多个经掩蔽导线中的每一者包含导电材料条带及导线掩蔽结构，其中导线掩蔽层的反射性小于所述导电材料条带。

本发明中所描述的标的物的另一创新性方面可实施于一种制作设备的方法中，所述方法包含：提供衬底，所述衬底具有形成于所述衬底的第一表面上的多个凹痕；在所述衬底的所述第一表面上方形成反射层；在所述反射层上方形成经图案化掩蔽层；及使用所述经图案化掩蔽层作为掩模来图案化所述反射层以在所述衬底的所述第一表面中的所述凹痕内形成经掩蔽反射小面。

所述衬底可为柔性的或可为实质上刚性的。图案化所述反射层还可包含使用所述掩蔽层作为掩模来图案化所述反射层以形成在所述衬底的所述第一表面的位于所述衬底的所述第一表面中的所述凹痕之间的平坦部分上方延伸的经掩蔽布线。

在随附图式及以下描述中阐明本说明书中所描述的标的物的一或多个实施方案的细节。根据所述描述、图式及权利要求书将明了其它特征、方面及优点。注意，以下各图的相对尺寸可能并未按比例绘制。

附图说明

图1展示描绘干涉式调制器(IMOD)显示装置的一系列像素中的两个邻近像素的等角视图的实例。

图2展示图解说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的系统框图的实例。

图3展示图解说明图1的干涉式调制器的可移动反射层位置对所施加电压的图的实例。

图4展示图解说明当施加各种共用电压及分段电压时干涉式调制器的各种状态的表的实例。

图5A展示图解说明在图2的3×3干涉式调制器显示器中的显示数据帧的图的实例。

图5B展示可用于写入图5A中所图解说明的显示数据帧的共用信号及分段信号的时序图的实例。

图6A展示图1的干涉式调制器显示器的部分横截面的实例。

图6B到6E展示干涉式调制器的不同实施方案的横截面的实例。

图7展示图解说明用于干涉式调制器的制造工艺的流程图的实例。

图8A到8E展示制作干涉式调制器的方法中的各种阶段的横截面示意性图解说明的实例。

图9A到9E展示用于在柔性衬底上形成经掩蔽结构的工艺的实例。

图10A展示图9A的区段10的细节视图的实例。

图10B展示类似于图10A的区段的区段的替代细节视图的实例。

图11A及11B展示用于在柔性衬底上形成经自掩蔽结构的工艺中的两个步骤的实例。