[发明专利]单晶硅晶片的制造方法及电子器件有效

申请号：	201280066709.0	申请日：	2012-12-14
公开（公告）号：	CN104040702A	公开（公告）日：	2014-09-10
发明（设计）人：	冈铁也;江原幸治	申请（专利权）人：	信越半导体株式会社
主分类号：	H01L21/322	分类号：	H01L21/322;H01L21/26
代理公司：	北京冠和权律师事务所 11399	代理人：	朱健
地址：	日本东京都千***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	单晶硅晶片制造方法电子器件
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【权利要求书】：

1.一种单晶硅晶片的制造方法，其特征在于，

通过对单晶硅晶片进行第一热处理，该第一热处理是使用快速加热、快速冷却装置在含氧气氛下以第一热处理温度保持1～60秒之后以1～100℃/秒的降温速度冷却至800℃以下，而使氧在内部扩散以在上述单晶硅晶片的表面附近形成氧浓度峰值区域，之后，通过进行第二热处理，而使上述单晶硅晶片内的氧凝聚在上述氧浓度峰值区域。

2.根据权利要求1所述的单晶硅晶片的制造方法，其特征在于，

使进行上述第一和第二热处理的单晶硅晶片的氧浓度为4×10¹⁷atoms/cm³(ASTM‘79)以上且16×10¹⁷atoms/cm³(ASTM‘79)以下。

3.根据权利要求1或2所述的单晶硅晶片的制造方法，其特征在于，

决定上述第一和第二热处理的条件，并以该所决定的条件进行上述第一和第二热处理，上述第一和第二热处理的条件如下：预先测定上述第一热处理后的单晶硅晶片、以及上述第一和第二热处理后的单晶硅晶片或在上述第一和第二热处理后进行了氧析出物明显化热处理的单晶硅晶片的氧浓度量变曲线，并使上述第一和第二热处理后的单晶硅晶片或在第一和第二热处理后进行了氧析出物明显化热处理的单晶硅晶片的氧浓度量变曲线的半辐值小于上述第一热处理后的单晶硅晶片的氧浓度量变曲线的半辐值。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的单晶硅晶片的制造方法，其特征在于，

将上述第一和第二热处理的条件决定为在上述第一和第二热处理后的单晶硅晶片的表面不会形成氧析出缺陷的条件，并以该所决定的条件进行上述第一和第二热处理。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的单晶硅晶片的制造方法，其特征在于，

在含有20％以上的氧的气氛下，以1320℃以上且硅的熔点以下的第一热处理温度进行上述第一热处理。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的单晶硅晶片的制造方法，其特征在于，

在含有0.01％以上且不足20％的氧的气氛下，以1290℃以上且硅的熔点以下的第一热处理温度进行上述第一热处理。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的单晶硅晶片的制造方法，其特征在于，

在上述第二热处理中，以400～700℃进行2～20小时的析出核形成热处理。

8.根据权利要求7所述的单晶硅晶片的制造方法，其特征在于，

在上述第二热处理中，在上述析出核形成热处理后，以800～1200℃进行1小时以上的析出核生长热处理。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的单晶硅晶片的制造方法，其特征在于，

在上述第一和第二热处理后，在上述单晶硅晶片的表面形成外延层。