[发明专利]使用三氟化氯的装置中的三氟化氯供给路的内面处理方法有效
| 申请号： | 201280066775.8 | 申请日： | 2012-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN104040699B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 吉野裕;小池国彦;佐枝学;真锅俊树 | 申请（专利权）人： | 岩谷产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/205 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;向勇 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三氟化氯 气体供给路 处理腔室 内面 气体排出路 供给路 处理装置 处理作业 气体作用 蚀刻处理 蚀刻气体 反应室 氟化膜 覆膜 连结 | ||
【权利要求书】：
1.一种使用三氟化氯的处理装置中的内面处理方法，其特征在于，其使作为蚀刻气体使用三氟化氯的处理装置的处理腔室(1)与气体供给路(2)和气体排出路(3)连结成一体，在通过三氟化氯气体进行蚀刻处理之前，使比蚀刻处理操作时供给的三氟化氯气体浓度高的浓度的三氟化氯气体作用于该形成一体的处理腔室(1)、气体供给路(2)和气体排出路(3)中的至少处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面，至少对处理腔室(1)和气体供给路(2)和这些中含有的配管彼此之间或配管与机器之间的熔接连接部的内面通过氟化膜形成覆膜。
2.如权利要求1所述的使用三氟化氯的处理装置中的内面处理方法，其中，对处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面通过氟化膜形成覆膜的三氟化氯气体暴露处理，是在室温环境20～30℃实施。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于岩谷产业株式会社，未经岩谷产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280066775.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
