[发明专利]使用三氟化氯的装置中的三氟化氯供给路的内面处理方法

说明书

本发明提供一种能够确实地抑制在处理作业时反应室中的ClF₃浓度的降低的三氟化氯供给路的内面处理方法。使作为蚀刻气体使用三氟化氯的处理装置的处理腔室(1)与气体供给路(2)和气体排出路(3)连结成一体，使与蚀刻处理操作时供给的三氟化氯气体浓度相同的浓度或者比该浓度高的浓度的三氟化氯气体作用于该形成一体的处理腔室(1)、气体供给路(2)和气体排出路(3)中的至少处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面，至少对处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面通过氟化膜形成覆膜。

技术领域

本发明涉及一种针对通过暴露于三氟化氯(ClF₃)而形成由氟化物构成的覆膜的处理装置以及连接于该处理装置的配管系统的内面部分进行处理的方法。

背景技术

在半导体、太阳能电池、感光鼓等的制造中所使用的CVD装置、PVD装置、外延生长装置等在膜形成操作系统的运转时，作为蚀刻气体使用了ClF₃。

该ClF₃易吸附于金属，另外在金属表面容易发生氟化反应。因此，在CVD装置、PVD装置、外延生长装置等的膜形成操作系统中，ClF₃吸附于构成装置的反应室等的装置、供给路的金属上，从而会使反应室内的ClF₃浓度降低。

因此，本申请人在先提出了使用在金属材料表面形成由氟化物构成的覆膜的金属材料来构成气体供给路，对处理时使用的ClF₃浓度的降低进行抑制的技术(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-197274号公报。

发明内容

发明要解决的课题

上述先前提出的方案是以预先附有氟化膜的材料来构成配管路，因此，在配管彼此之间、或者配管与机器之间的熔接连接部、接头引起的连接部不被氟化膜所覆盖，无法防止该不被氟化膜所覆盖的部分吸附有ClF₃，且无法防止反应室内ClF₃浓度的降低。

本发明就是着眼于上述观点而完成的，其目的在于提供一种能够确实地抑制在处理作业时反应室中ClF₃浓度的降低的三氟化氯供给路的内面处理方法。

解决课题的方法

为了实现上述目的，本发明的技术方案1的发明的特征在于，使作为蚀刻气体使用三氟化氯的处理装置的处理腔室与气体供给路和气体排出路连结成一体，在通过三氟化氯气体进行蚀刻处理之前，使在蚀刻处理操作时供给的三氟化氯气体的浓度或者比该浓度高的浓度的三氟化氯气体作用于该形成一体的处理腔室、气体供给路和气体排出路中的至少处理腔室和气体供给路的内面，至少对处理腔室和气体供给路的内面通过氟化膜形成覆膜。

另外，本发明的技术方案2的发明的特征在于，在技术方案1中，对处理腔室与气体供给路的内面通过氟化膜形成覆膜的三氟化氯气体暴露处理，是在室温(20～30℃)实施。

发明的效果

在本发明中，将使用三氟化氯的装置的配管、机器类连结成一体后，在通过三氟化氯气体进行蚀刻处理之前，使处理操作时的三氟化氯气体的浓度或比该浓度高的浓度的三氟化氯气体，作用于构成使用三氟化氯的装置的至少处理腔室和气体供给路的内面，在处理腔室和气体供给路的内面通过氟化膜形成覆膜，由此，在未被氟化膜覆盖的配管彼此之间、配管与机器之间的熔接连接部、接头引起的连接部处，未被氟化膜覆盖的部位已不存在，当使用ClF₃进行蚀刻等处理作业时供给的ClF₃不会吸附于构成配管、腔室的金属原料上，因此，能够确实地抑制ClF₃的处理作业时的浓度的降低。