[发明专利]铜箔复合体、以及成形体及其制造方法有效
申请号: | 201280066809.3 | 申请日: | 2012-01-13 |
公开(公告)号: | CN104080605A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 田中幸一郎;冠和树 | 申请(专利权)人: | JX日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | B32B15/08 | 分类号: | B32B15/08;H05K1/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 熊玉兰;孟慧岚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铜箔 复合体 以及 成形 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是关于一种层叠铜箔与树脂层而成的铜箔复合体、以及成形体及其制造方法。
背景技术
层叠铜箔与树脂层而成的铜箔复合体是应用于FPC(Flexible Printed Circuit,挠性印刷电路板)、电磁波遮蔽材料、RF-ID(Radio Frequency Identification,无线IC标签)、面状发热体、及散热体等。例如,在FPC的情况下,在基底树脂层上形成有铜箔的电路,保护电路的覆盖层膜覆盖电路,而成为树脂层/铜箔/树脂层的层叠结构。
然而,作为这样的铜箔复合体的加工性,要求以MIT弯曲性为代表的弯折性、以IPC弯曲性为代表的高循环弯曲性,而提出了弯折性或弯曲性优异的铜箔复合体(例如,专利文献1~3)。例如,FPC可在手机的铰链部等可动部弯折,或为谋求电路的小空间化而弯折使用,但作为变形模式,以上述MIT弯曲试验、或IPC弯曲试验为代表那样的单轴弯曲,而不成为苛刻的变形模式的方式进行设计。
另外,在将铜箔复合体用于电磁波遮蔽材料等的情况下,成为树脂层/铜箔的层叠结构,要求这样的铜箔复合体的表面发挥耐蚀性及长期稳定的电接点性能。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-100887号公报
专利文献2:日本特开2009-111203号公报
专利文献3:日本特开2007-207812号公报。
发明内容
发明要解决的问题
然而,若对上述铜箔复合体进行压制加工等,则成为与MIT弯曲试验、或IPC弯曲试验不同的严苛(复杂)的变形模式,因而有铜箔断裂的问题。而且,只要可对铜箔复合体进行压制加工,则可使含有电路的结构体符合制品形状。
因此,本发明的目的在于提供一种即便进行压制加工等这样的不同于单轴弯曲的严苛(复杂)的变形也可防止铜箔破裂从而加工性优异、进而长时间稳定发挥耐蚀性及电接点性能的铜箔复合体、以及成形体及其制造方法。
解决问题的技术手段
本发明人等发现,通过将树脂层的变形行为传递至铜箔,使铜箔与树脂层相同地变形,从而使铜箔的收缩不易产生并提高延展性,可防止铜箔破裂,从而完成本发明。也就是说,以树脂层的变形行为传递至铜箔的方式规定树脂层及铜箔的特性。进而,为了长时间稳定发挥耐蚀性及电接点性能,而规定铜箔表面的被覆层。
即,本发明的铜箔复合体是层叠有铜箔与树脂层,在将上述铜箔的厚度设为t2(mm),将拉伸应变4%时的上述铜箔的应力设为f2(MPa),将上述树脂层的厚度设为t3(m),将拉伸应变4%时的上述树脂层的应力设为f3(MPa)时,满足式1:(f3×t3)/(f2×t2)≥1,并且在将上述铜箔与上述树脂层的180°剥离粘接强度设为f1(N/mm),将上述铜箔复合体的拉伸应变30%时的强度设为F(MPa),将上述铜箔复合体的厚度设为T(mm)时,满足式2:1≤33f1/(F×T),且在上述铜箔中的未层叠有上述树脂层的面,形成有附着量5~100 μg/dm2的Cr氧化物层。
优选为,在上述Cr氧化物层与上述铜箔之间,形成有厚度0.001~5.0 μm的Ni层或Ni合金层,且优选为该Ni层或Ni合金层的厚度为0.001~0.10 μm。
优选为,在低于上述树脂层的玻璃化转变温度的温度下,上述式1及式2成立。
优选为,上述铜箔复合体的拉伸断裂应变I与上述树脂层单体的拉伸断裂应变L的比I/L为0.7~1。
本发明的成形体是对上述金属箔复合体进行加工而成。本发明的成形体例如可通过进行压制加工、使用有上下模具的突出加工、拉深加工的其他加工等立体地进行加工。
本发明的成形体的制造方法是对上述金属箔复合体进行加工。
发明效果
根据本发明,可获得一种即便进行压制加工这样的不同于单轴弯曲的苛刻(复杂)的变形也可防止铜箔破裂而加工性优异、进而发挥耐蚀性及长时间稳定的电接点性能的铜箔复合体。
附图说明
图1是实验性地表示f1与(F×T)的关系的图。
图2是表示进行加工性的评价的杯突试验装置的构成的图。
具体实施方式
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