[发明专利]包括小于沟道面积的活跃浮栅区面积的器件

权利要求书

1. 一种器件，包括：

漏极；

沟道，其围绕漏极并且具有沟道面积；

浮栅，其包括具有活跃浮栅区面积的活跃浮栅区；以及

控制栅，其经由控制电容耦合到活跃浮栅区，其中活跃浮栅区面积小于沟道面积。

2. 如权利要求1所述的器件，其中浮栅包括至少一个不活跃浮栅区。

3. 如权利要求1所述的器件，其中浮栅具有浮栅电容，并且活跃浮栅区具有活跃浮栅区电容，并且控制电容与活跃浮栅区电容的比大于控制电容与浮栅电容的比。

4. 如权利要求1所述的器件，其中沟道具有沟道长宽比，并且活跃浮栅区具有大于沟道长宽比的活跃浮栅区长宽比。

5. 如权利要求1所述的器件，其中沟道具有沟道长宽比并且沟道包括具有大于沟道长宽比的活跃沟道区长宽比的活跃沟道区。

6. 如权利要求1所述的器件，其中沟道包括具有大于沟道面积的活跃沟道区面积的活跃沟道区。

7. 一种集成电路，包括：

漏极；

沟道，其围绕漏极并且具有沟道长宽比；

浮栅，其包括具有活跃浮栅区长宽比的活跃浮栅区；以及

控制栅，其经由控制电容耦合到活跃浮栅区，其中活跃浮栅区长宽比大于沟道长宽比。

8. 如权利要求7所述的集成电路，其中沟道具有沟道面积，并且活跃浮栅区具有小于沟道面积的活跃浮栅区面积。

9. 如权利要求7所述的集成电路，其中控制电容与活跃浮栅区电容的比大于控制电容与浮栅电容的比。

10. 如权利要求7所述的集成电路，其中浮栅包括在不活跃沟道区之上的至少一个不活跃浮栅区。

11. 如权利要求7所述的集成电路，其中沟道包括具有大于沟道长宽比的活跃沟道区长宽比的活跃沟道区。

12. 一种制造器件的方法，其包括：

以具有沟道面积的沟道围绕漏极；

将浮栅布置在沟道之上；

将第一介电层布置在浮栅上；

蚀刻在浮栅的第一部分上和在浮栅的第二部分上的第一介电层；

将第一金属布置在浮栅上来提供在浮栅的第一部分处的栅极接触；以及

蚀刻第一金属以蚀刻掉在浮栅的第二部分上的第一金属并且以蚀刻掉浮栅的第二部分，以提供具有小于沟道面积的活跃浮栅区面积的活跃浮栅区。

13. 如权利要求12所述的方法，包括：

将第二介电层布置在第一金属上；以及

将第二金属布置在第二介电层上来提供控制栅以及在第一金属和第二金属之间的控制电容。

14. 如权利要求12所述的方法，其中沟道具有沟道长宽比，并且蚀刻第一金属来蚀刻掉浮栅的第二部分，以提供大于沟道长宽比的活跃浮栅区长宽比。

15. 如权利要求12所述的方法，包括：

蚀刻在浮栅的第三部分上的第一介电层；

将第一金属布置在浮栅的第三部分上；以及

蚀刻第一金属来蚀刻掉在浮栅的第三部分上的第一金属并且来蚀刻掉浮栅的第三部分，以提供不活跃浮栅区。